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对目前所采用的各种高压平面结终端结构的优化设计方法进行了分析比较，总结了其一般规律，给出了优化设计方法的流程图，并对终端结构的......
本文利用薄膜双栅ＳＯＩ器件在阈值电压附近硅膜中的常电位近似，得到一个通用的薄膜双栅ＳＯＩ器件电流模型．数值模拟结果与实验值吻合较好．文中特......
通过有效掺杂浓度梯度的定义和耗尽近似求解 ,得到非对称线性缓变结击穿电压的简洁表达式。借助计算的有效掺杂浓度梯度和双边对称......
随着器件特征尺寸缩短到纳米范围，短沟道效应给器件性能带来了重要影响。短沟道效应会造成器件阈值电压下降，从而使亚阈值电流呈指数......
本文提出通过栅控二极管在不同偏压下的高频C-V特性曲线,确定埋沟电荷耦合器件(BCCD)随栅压变化的沟道电势.对不同样品进行了高频C......
本文确定了i区长度Wi=0→∞及掺杂比N_A/N_D=0→∞的任何突变pin结的平衡态严格解,和薄i区结的偏置态解. (Ⅰ)设有如下杂质分布为......
经过光伏红外探测器前表面入射的光子流进入器件以后,在器件的前后表面间可能发生多次光学反射。这种现象对器件的探测率的影响是......
本文考虑了结空间电荷区的影响,在耗尽近似下,导出了PN结红外光伏探测器I-V特性和探测率D_λ~*的解析式,并用所得结果分析了偏压、......
PN结光伏红外探测器的几何、光学和电学参量对其探测率D_λ~*的影响是相当重要的。它对器件的设计、制造和应用具有实际意义。对......
