类氢杂质相关论文
本文在有效质量近似下,采用有限差分法研究了InGaN/GaN多层核壳量子点中电子子带间跃迁的线性和非线性光学性质,讨论了类氢杂质、......
该文利用一维化方法,在有效质量近似下,考虑阱中电子有效质量随空间位置的变化(SDEM效应),计算了加垂直磁场时有限深抛物阱(PQW)中......
该文在前人工作的基础上,详细研究了矩形截面GaAs/GaAlAs(x=0.3)量子阱线中的类氢杂质体系的性质,采用变分技术计算了此体系的束缚......
在有效质量近似下,我们采用变分法,分别计算了磁场对方形量子阱线和正方体量子点中类氢杂质束缚能的影响,将结果与前人的工作进行......
自八十年代以来，随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积等技术的发展，低维半导体材料得以广泛应用。因为杂质对于材料中的电子输运及......
在有效质量近似下,讨论了GaN／AlxGa1-xN应变柱形量子点中类氢杂质态结合能和外场存在情况下耦合GaN／AlxGa1-xN柱形量子点z方向电子基......
在有效质量近似下,利用变分法研究无限高势垒GaN/AlxGa1-xN应变长方量子点中类氢杂质态结合能及流体静压力效应,数值计算表明,杂质......
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含有类氢离子杂质的InxGa1-xN/GaN应变类量子点中激......
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结......
利用有效质量近似,计算了磁场影响下正方体量子点中类氢杂质体系的束缚能;与相同条件下量子线以及球形量子点的束缚能进行了比较,......
在有效质量近似下，采用有限差分的方法研究了自组装耦合量子点中类氢杂质的结合能随量子点结构参数（量子点尺寸和量子点间距）和杂质位......
在效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了类氢杂质对InxGa1-xN/GaN量子点中激子的基态能和结......
在精确对角化方法得到的系统哈密顿方程的能量和波函数的基础上,我们利用密度矩阵方法计算了抛物类氢杂质量子点中激子的基态（L=0态......
在有效质量近似下,利用变分原理研究了有限高应变GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中杂质态的结合能,计算了结合能随量子点高度、半径和杂......
①目的研究自组织GaAs/AlxGa1-xAs量子环中类氢杂质结合能随量子环外径、高度以及杂质径向位置变化的规律。②方法本文运用变分法,......
利用B样条技术研究GaAs量子环中类氢杂质能量的量子尺寸效应.对计算结果比较看到：无磁场情况,对于｜m｜=0,r0〈75 nm,抛物禁闭关联势可......
利用B样条技术计算强磁场中InAs量子环的能级和量子尺寸效应．计算结果表明：磁场对量子环的能级曲线Enr,mt--r0影响剧烈；当量子环较大......
利用B样条技术计算类氢InAs类氢杂质量子环基态和激发态能级的量子尺寸效应.当抛物势ω=0和ω=50meV时,基态能量的计算结果为......
在有效质量近似下，运用变分方法，考虑内建电场（BEF）效应和量子点的三维约束效应，研究了纤锌矿结构的GaN／Al，Ga1-xN,InxGa1-xN／CaN柱形量子......
利用有效质量方法和变分原理，考虑内建电场（BEF）效应和量子点的三维约束效应，研究了纤锌矿结构的GaN／Alx Ga1-xN柱形量子点中类氢杂质的......
在有效质量近似下，采用简单的变分波函数，定量计算了无限深对称GaAs/AlGaAs耦合双量子盘在沿轴向不同强度磁场的作用下，类氢杂质体系......
考虑应变及流体静压力，在有效质量近似下，利用变分法计算了无限高GaN／AlxGa1-xN应变柱形量子点中类氢杂质结合能。结果表明，在量子点尺......
运用求解任意势中波函数和转移矩阵方法相结合的方法，讨论双势垒结构中类氢杂质位置变化对电子共振隧穿的影响，计算得到电子的共振能......
通过在波函数中考虑量子线的限制方向和非限制方向的相关性，计算了GaAs／Ga1-xAlxAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面,结果......
在有效质量近似框架内,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含类氢杂质的 GaN/AlxGa1- xN量子点中的激子......
利用精确对角化方法计算了带有类氢施主杂质的量子点的能量和波函数，通过密度矩阵方法得到光折射率改变量的表达式，在这基础上计算了......
近几年来，低维半导体异质结构由于其特殊的物理性质及其在光电子器件方面较好的应用前景而受到了广泛的关注。而且一些研究结果表明......
低维半导体量子点材料在二十一世纪纳米电子学中有极大的应用潜力,激发了人们在这个领域的研究兴趣。研究该材料中有关电子属性有......
在有效质量近似下,讨论了GaN/AlxGa1-xN应变柱形量子点中类氢杂质态结合能和外场存在情况下耦合GaN/AlxGa1-xN柱形量子点z方向电子......
在有效质量近似下,通过变分法研究了流体静压力下有限高应变GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中杂质态结合能.首先,在有效质量近似下利用变......
近年来,低维系统的研究被人们广泛的关注,特别是在二维系统中发现了诸如量子hall效应等现象以后。低维系统中一些新的物理性质使人......
在有效质量近似下,采用简单的尝试波函数,利用变分方法数值计算了在有限势垒和无限势垒两种情况下的对称GaAs/Al0.4Ga0.6As耦合双......
