相变存储器相关论文
如今,随着信息技术的飞速发展,数据的传输和存储变得尤为重要,存储器作为信息技术发展的重要组成部分,扮演着十分重要的角色。目前......
相变存储器是极具发展潜力的新型非易失性存储器,基于Sb2Te3的相变存储器具备极快的SET速度,但器件的热稳定性较差。在Sb2Te3中掺......
随着人工智能领域的快速发展,海量数据的处理需要相应硬件的对应开发。对人脑物理结构及工作机制的深入研究使得基于非易失性内存......
相变存储器（PCM）由于其操作功耗低、读写速度快、非易失性、高密度、以及与CMOS工艺兼容等优点,被认为是最有潜力的下一代存储器之一......
相变存储器（Phase Change Memory,PCM）具有快速的读写能力、高存储密度以及良好的数据保持力,因此,它被认为是最有希望的下一代非易......
三维相变存储器（3D PCM）采用交叉堆叠的方式保证优异存储性能的同时极大地提高了存储密度,成为最接近大规模产业化的下一代非易失性......
传统主存DRAM和外存NAND之间存在巨大的性能和成本差异且面临日益严峻的微缩困境,业界提出了各种新型电阻式存储器来对其进行补充......
相变存储器（PCRAM）由于高速、高密度、低功耗及可持续微缩等优点，成为新型半导体存储器的研究热点。本文采用磁控溅射的方法和标准半......
相变存储器（PCM）具有传统DRAM所不具备的非易失性特点。且PCM相比于DRAM在功耗以及尺寸上都表现得更为理想,因此PCM被誉为最有可能取......
三维相变存储器（3D PCM）使用多层交叉堆叠结构在保持优异存储性能的同时成倍提高了存储密度,因而备受业界关注,但随着阵列规模的提高......
相变存储器（phase change memory,PCM）是最具潜力的新型存储器之一,在速度、集成度等方面具有显著优势,但其大规模应用仍受功耗较大......
相变存储器作为一种新型的非易失性存储器,具有存储密度大、操作速度快、数据保持时间长、抗辐射性能好等诸多显著的优点,被认为是......
随着信息技术的高速发展,现有的存储技术越来越难以满足市场的需求,研发新的存储技术成为未来发展的重要趋势。相变存储器凭借其读......
相变存储器（PCM）由于其低功耗、高密度以及良好的兼容性等优点已经被认为是下一代最有前景的非易失性存储器之一。作为相变存储器的......
相变存储器（PCM）由于操作速度快、存储密度高、可多级存储等优异的性能被公认为是下一代非易失性存储器的有力竞争者。相变存储器的......
随着电子信息技术的发展,带来了电子产品数量的爆炸式增长,导致数据传输量也急剧增加。海量的数据存储、传输和处理将会对存储设备......
Sb2Te3薄膜析晶温度低,沉积态已经出现了明显的析晶峰,非晶态热稳定性差,无法投入实际应用.引入Mg后,提高了薄膜的析晶温度,沉积态......
为了获得应用于相变存储器的高速、低功耗相变薄膜,本文采用磁控溅射方法制备了SiO2掺杂的Sb薄膜.相比于纯的Sb薄膜,SiO2掺杂提高......
大数据技术的出现与发展使得存储系统面临巨大机遇与挑战。同时，作为传统内存介质的动态随机存储器(DRAM)，由于其工艺尺寸达到20 nm......
通过60Co辐射源及电子加速器辐照实验，分析器件单元的I-V特性、R-V特性以及相变材料阻值的辐照前后变化，研究基于Ge2Sb2Te5合金的相......
采用共溅射Ge2Sb2Te5合金靶和si靶的方法制备了掺杂Si的Ge2Sb2Te5薄膜。掺杂Si提高了Ge2Sb2Te5薄膜的晶化温度和从面心立方晶相向......
相变存储器(Phase Change Memory,PCM)由于其高密度、低漏电功耗、抗辐射、非易失性、可扩展性等优势受到学术界和工业界的广泛关......
为探究连续性RESET操作和连续性SET操作对相变存储器疲劳特性的影响,基于4 Mbit相变存储器芯片进行了不同RESET-SET次数比的疲劳特......
相变存储器(PCM)是一种非易失性存贮设备，利用材料的可逆相变来储存信息。作为新一代存储技术，它性能优异，有望部分取代闪存及动......
随着人类社会的飞速发展,电子产品市场对存储器的要求与日俱增。闪存是目前世界上最主流的存储器,但是进入45nm技术节点后,器件的......
传统的主存储器DRAM由于制造工艺的束缚，其集成度已经很难再攀新高。另外，DRAM又受限于能耗高等问题，给计算机系统带来了巨大的挑战。......
在计算机系统中，内存的重要性不言而喻。随着工艺特征尺寸不断减小，动态随机访问存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)作为传统......
随着内存容量需求的不断增长，传统的DRAM器件面临着严峻的能耗和可扩展性挑战。相变存储器具有高密度、高可扩展性和低功耗的优点，极......
相变存储器(Phase Change Memory，以下简称PCM)是一种新型计算机存储技术。近年来的研究主要把它定位为下一代内存载体。相比较于传......
相变存储器由于具有非易失性、功耗低、读取快、存储密度高等优点，被认为有可能取代目前的闪存和动态随机存取存储器而成为固态半导......
随着计算机技术的提升，多核多处理器的计算机系统逐渐成为主流，同时运行的应用程序（或线程）数目的显著增加，这增加了系统的工作负载，需要......
相变存储器即PCM（Phase Change Memory），是一种非易失新型变阻存储器，通过存储单位处于不同的电阻态来记录零和一的数据信号。具有存储......
目前大多数固态硬盘为了提高适用性都由内部提供的闪存转换层向主机端屏蔽闪存(NAND Flash)本身的缺陷。然而这种封装成黑盒子的固......
随着信息技术的高速发展,计算机领域已进入了以数据为中心的大数据时代,数据规模的快速增长给计算机存储系统带来了机遇和挑战。传......
随着计算机和移动互联网的进一步发展，特别是近年来云计算和大数据技术的快速发展，海量的数据处理对数据的存储、访问提出了更为严苛......
随着计算机技术的发展,处理器和存储器作为计算机组成的主要部件,相关技术指标得到了极大的提高与改善。由于器件自身特点的局限性......
随着大数据、云计算的兴起,计算机需要越来越大的内存来支持大规模计算的需求。但是现有普遍采用的DRAM技术在发展到现在的22nm的......
随着多核计算机技术的发展和日益复杂的计算机应用的出现,对当前主存及系统提出了更高的要求。传统的DRAM主存存储介质存在很多弊......
容错技术是保障系统运行的关键技术,其中检查点技术被广泛应用。但是,传统的基于磁盘的检查点会给系统带来巨大的性能损失。基于内......
单芯片多处理器的发展和应用不断增加的性能和精度要求,需要计算机的主存系统增加容量以保存更大的工作集。DRAM是过去的几十年里......
随着多核系统的普及和发展，中央处理器的数目越来越多，软件应用规模也越来越大，对存储器的存储容量和访问速度要求逐渐加大。另一方面......
有限元方法作为一种非常有效的数值计算方法，被广泛应用到在计算机辅助工程分析。计算机并行软硬件技术的不断发展，为解决各种大规模......
数据库系统中的日志与并发操作技术一直是数据库系统的研究热点。近年来,随着相变存储器(Phase Change Memory,PCM)等新型非易失性......
相变存储器(Phase Change Memory,PCM)是一种具有吸引力和发展潜力的新型存储技术,具有非易失性、高读取速度、高存储密度以及低静......
随着半导体制造工艺技术的发展，DRAM与闪存的尺寸已经缩小甚多，但进一步缩小的空间不大，且其存储性能随着密度的提升而受到严重影响。......
