浮体效应相关论文
针对SOI器件中的瞬态浮体效应进行了一系列的数值模拟,通过改变器件参数,比较系统地考察了SOI器件中瞬态浮体效应,同时也研究和分......
对0.5μmSOI CMOS工艺进行了开发,得到一套完整良好的工艺流程参数。根据流片测试结果,进行SOI CMOS器件的建模;利用BSI MproPlus......
提出了一种新型的Schottky体接触结构,能够有效抑制部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应.这种结构可以通过在源区形成一个浅的n+-p结和......
研究开发了0.4μm PD CMOS/SOI工艺,试制出采用H栅双边体引出的专用电路。对应用中如何克服PD SOI MOSFET器件的浮体效应进行了研......
研究了一种采用非对称结构和注Ge的部分耗尽0.8μm SOI nMOSFET的浮体效应,实验结果表明这种结构能够提高漏端击穿电压约1V,减轻反......
严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点。绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应。......
期刊
提出了一种新的部分耗尽SOI体接触技术,与其它体接触技术相比,该方法可以有效抑制SOI器件的浮体效应.形成多晶硅栅之前在源区进行......
随着器件尺寸的不断减小，PD SOI器件的低频噪声特性对电路稳定性的影响越来越大。研究了PD SOI器件低频过冲噪声现象，分析了此类器件......
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SOI工艺因其独特的器件特性而被物联网时代所追捧。相对精准的器件模型显得愈加重要。这是在SOI器件特性和模型理论的基础上,采用P......
在分析SOI器件的浮体效应、击穿特性、背栅阈值、边缘漏电、ESD及抗辐照特性的基础上,提出了提高SOI器件和电路性能的技术途径.体......
提出一种图形化SOI LDMOSFET结构，埋氧层在器件沟道下方是断开的，只存在于源区和漏区．数值模拟结果表明，相对于无体连接的SOI器件，此结......
对SOI技术的发展情况进行了概述。在此基础上,提出了新形势下SOI技术的发展思路。为了充分发挥SOI技术的优势,主要的思路是对影响......
从SOI CMOS模拟集成电路(IC)中存在的关键问题--浮体效应--及其影响出发,介绍了在解决浮体效应以后,已实现的有代表性的模拟集成电......
介绍了部分耗尽SOI MOSFET中的浮体效应;简要描述了浮体效应的物理机制、测试结果,以及减小浮体效应的方法;同时,给出了在有体接触......
文章描述了PD SOI器件的体接触失效过程,介绍了一种PD SOI器件一级近似体接触电阻计算方法;提出了一种实用的体接触电阻及其版图寄......
提出了一个新的物理解析模型分析薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ强反型电流下的浮体效应，该模型考虑了器件的各种寄生电流成分，着重研究了浮体电位及其对其他器......
提出了一种部分耗尽SOI MOSFET体接触结构,该方法利用局部SIMOX技术在晶体管的源、漏下方形成薄氧化层,采用源漏浅结扩散,形成体接......
提出了一种新型的Schottky体接触结构 ,能够有效抑制部分耗尽SOInMOSFET的浮体效应 .这种结构可以通过在源区形成一个浅的n+ p结......
期刊
提出了一种基于部分耗尽绝缘体上硅的体源连接环形栅nMOS器件,并讨论了相应的工艺技术和工作机理。采用体源连接环形栅器件结构,有......
以0.13μm部分耗尽薄膜SOI器件为研究对象,简要分析了体接触器件和浮体器件基本特性,指出两类器件击穿特性的差异性,并重点讨论了......
本文提出了一种在沟道下方埋氧层中开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET新结构.工艺和性能分析表明,它可抑制SOI结构的浮体效应和自加热......
SOI(SiliconOnInsulator)器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应,将显著地影响器件的性能。本文阐述了浮体效应产生的原因以及它......
近年来，SOI技术已经发展成为制造ULSI集成电路的主流技术之一。但是，SOI器件存在着浮体效应和自热效应。另外，为了获得功能更强大、价......
集成电路正在从微电子时代发展到微纳电子时代,现有的体硅材料和工艺正接近它们的物理极限,遇到了严峻的挑战,必须在材料和技术上......
随着体硅CMOS技术的发展,需要从材料选用、器件结构以及加工技术等各个方面进行创新,其中以应变硅为代表的沟道高迁移率增强技术,......
SOI工艺和器件,始终被业界密切关注和研究。本课题在一条大规模商用集成电路生产线上开发0.13微米SOI CMOS工艺技术,这篇论文阐述......
与传统的体硅电路比起来,SOI电路具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等优点。但由于早期的SOI材料的制作成本比较高,所以原先......
SOI电路与传统的体硅电路比较起来,具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等优点,特别在抗辐照加固电路中SOI的全介质隔离技术具......
