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期刊论文
SOI CMOS模拟集成电路发展概述
SOI CMOS模拟集成电路发展概述
来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dave463
【摘 要】
:
从SOI CMOS模拟集成电路(IC)中存在的关键问题--浮体效应--及其影响出发,介绍了在解决浮体效应以后,已实现的有代表性的模拟集成电路的发展状况.特别指出了SOICMOS在实现RF电
【作 者】
:
刘忠立
【机 构】
:
中国科学院半导体研究所
【出 处】
:
微电子学
【发表日期】
:
2004年4期
【关键词】
:
SOI
CMOS
模拟集成电路
浮体效应
SOC
SOI CMOS Analog integrated circuit RF circuit SOC
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从SOI CMOS模拟集成电路(IC)中存在的关键问题--浮体效应--及其影响出发,介绍了在解决浮体效应以后,已实现的有代表性的模拟集成电路的发展状况.特别指出了SOICMOS在实现RF电路及SOC芯片中的优点.
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