气相输运相关论文
以Bi2Se3和Bi2Te3为代表的拓扑绝缘体材料具有许多新奇的物理和化学性质，在光电、超导和自旋电子学等方面有着重要的应用.1然而......
ZnSe晶体，具有可调谐范围宽，激发态吸收小、吸收和发射截面大以及室温下量子效率高等优异的性能，是非线性光学器件和中红外激光器......
以高纯(6N)Cd、Si、P单质为原料，采用双温区气相输运和改进的垂直布里奇曼法合成出高纯单相的CdSiP2多晶料和尺寸达Ф17×102mm......
二硫化钨作为过渡金属二硫化物(TMD)的重要成员,有着无与伦比的优异性能,如高开关比、可控自旋和谷极化、间接带隙直接跃迁到直接......
该文尝试采用布里奇曼法生长CdZnTe为原材料进行了高X值（X=0.04~0.60）Cd1、Zn Te晶体在压力控制下的物理气相输运（PVT）生长研究。探讨......
摘 要：用简单的气相输运方法，在温度为900 ℃的条件下首次合成了滚筒刷状的ZnO纳米结构宏观体，并对其结构和形貌分别进行了表征。 ......
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用简单的气相输运方法，在温度为900℃的条件下首次合成了滚筒刷状的ZnO纳米结构宏观体，并对其结构和形貌分别进行了表征。......
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采用改进的两温区气相输运合成方法（MTVTM）合成PbI2多晶原料,简化了合成工艺,有效避免了合成安瓿爆炸。XRD分析结果表明：新方法合成的......
运用气相输运技术在不同的衬底上制备ZnO薄膜,同时对这些ZnO薄膜的表面形貌、晶体结构和光学特性进行表征。在扫描电子显微镜图像......
根据对Ag2S-Ga2S3赝二元相图的分析,采用同成分点配料,分别采用一种新方法--两温区气相输运温度振荡法和普通气相输运法合成AgGaS2......
碳化硅晶体作为第三代半导体材料的代表,在电子电力器件、高亮度发光二级管等节能环保领域有着广泛的应用前景。......
采用光刻和射频磁控溅射技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相输运和水热合成法,制备了最小单元为30μm的图......
ZnGeP2多晶的合成是其单晶生长的前提和基础,多晶材料的质量是生长高质量单晶的关键。因此,要获得高质量的ZnGeP2单晶体,必须提供......
本文采用化学气相输运法在常压开放系统中以（0001）蓝宝石为基片制备出定向生长的ZnO晶体。以ZnO粉体为原料，NH4Cl为输运气体，O2和H2O为......
本文直接使用高纯Ag，Ga，Ge，S单质作为原料合成AgGaGeS4多晶。为防止S蒸气高压使多晶合成管炸裂，采用双温区气相输运的合成方法。对合成......
采用水平区熔法对由两温区气相输运法制备的In I多晶进行提纯,探索高纯、单相In I多晶的制备工艺。通过X射线粉末衍射仪、扫描电子......
SnO2是一种具有宽直接带隙的n型半导体材料，已于透明导电玻璃、太阳能电池、平板显示器、高温电子器件和气敏传感器等领域得到了广......
