二硫化钨作为过渡金属二硫化物(TMD)的重要成员,有着无与伦比的优异性能,如高开关比、可控自旋和谷极化、间接带隙直接跃迁到直接带隙、激子的强几何约束和可调的光致发光等,因而在太阳能电池、锂电池、发光二极管和光传感器中展现出巨大的应用潜力。就目前而言,制备类石墨烯二硫化物主要有以下几种方法:一是从上至下的方法主要是微机械力剥离法。另一类是从下至上的方法,其中包括:化学气相沉积法、水热法、气相输运法以及分子束外延技术等等。在我们的本次的研究中,我们主要使用了两种制备二硫化钨的方法。利用CVD法制备了品质优良尺寸可观的单层WS2,但是同时反应物中的S,会与载气中的H2反应生成H2S气体,使得实验室安全存在隐患;而利用VT法在N2作为载气气氛下未能制备尺寸可观的单层WS2,后在Ar/H2作为载气气氛下,通过调控保温温度、生长气压、载气流速等参数制备了品质优良尺寸可观的单层WS2;我们还进一步做了用VT法在Ar/H2作为载气气氛下将WS2沉积在Ti3C2Tx-MXene上的工作,亦成功制备了品质优良尺寸可观的单层WS2,且提升了单层二硫化钨的面积和实验的可控度。我们通过光学显微镜等对样品的形貌进行观察,通过荧光和拉曼光谱以及原子力显微镜、扫描电子显微镜对样品进行表征。