碳化硅晶体相关论文
半导体行业是国家产业升级与转型的重点发展领域,Si C作为第三代半导体材料的典型代表,具有禁带宽度大、热导率高、饱和电子迁移速......
作为第三代半导体材料的典型代表,碳化硅因具备宽的带隙、高的热导率、高的击穿电场以及大的电子迁移速率等性能优势,被认为是制作高......
开发碳化硅晶体生长炉三维电磁场、温度场数值模拟平台,研究了矩形截面(10mm×10mm)的电感线圈几何结构(轴对称结构、及非轴对称的......
日前,安徽微芯长江半导体材料有限公司碳化硅单晶衬底研发及产业化项目建设工程迎来了主体工程封顶。去年11月19日,安徽微芯长江半......
聚焦科发奖:碳化硅晶体生长和加工技术研发及产业化团队推荐单位中国科学院物理研究所完成单位中国科学院物理研究所合作单位北京......
作为国内首家产销碳化硅晶体的高科技公司,北京天科合达蓝光半导体有限公司依托于中国科学院物理研究所的技术支撑,一直致力于高......
用剂量为8.2×1018/cm2的中子对6H-SiC晶体进行了辐照。采用X射线衍射仪、差示扫描量热仪测试6H-SiC晶体中辐照损伤。结果表明:中......
低温条件下碳化硅等半导体材料热导率的实验研究极少,数据匮乏,无法满足理论模型的优化需求。现有实验测量以接触式的稳态法导热系......
利用化学气相沉积结合树脂浸渍炭化工艺制备了多晶硅氢化炉用炭/ 炭发热体材料,并在多晶硅氢化炉实际环境下进行试用。对试用后......
碳化硅(SiC)半导体具有宽禁带、高热导率、高饱和电子漂移速度、高临界击穿场强、良好的化学稳定性等性能,在高温器件、高频器件、......
以再结晶碳化硅(RSiC)为基体,利用其特殊的三维连通孔结构,通过MoSi2高温熔渗法来制备具有三维互穿网络结构的MoSi2-RSiC复合材料,可......
微波作为一种新型和环境友好型的加热方式,其节能高效、清洁环保的加热特点备受国内外学者的广泛关注。微波加热技术制备SiC晶体已......
在SiC晶体制备已取得长足进步的今天,如何获得大直径、高品质、低成本的SiC晶体依然是相关科研人员追求的目标。本文在2英寸SiC晶体......
碳化硅是一种间接宽带隙的半导体材料,具有广泛的应用前景。它的结构特性之一是多型性,结构的多型性使它具有诸多不同的光学及电学特......
作为第三代半导体的碳化硅(Si C)材料,具有多项优异的性能,诸如宽禁带、高热导率、高击穿场强等,这使得它能代替硅(Si)材料在高温......
离子辐照作为一种材料表面改性方式,可以使材料表面的物理、化学、电光、机械性能等发生改变,能有效地优化材料表面的各种性能。通过......
石墨烯(graphene)作为一种新型二维碳材料,由于其所展现出的诸如零电子带隙、极高电子迁移率、较长相位相干长度和弹性散射长度等......
近日,一支由法、美、德三国研究机构和大学组成的国际研究团队利用新方法合成了宽度仅为40 nm 的高质量石墨烯纳米带,并成功在室温下......
1893年莫桑博士(Mr Moissan)在美国亚利桑那州的陨石中发现了天然碳硅石(SiC),按照发现者姓名,将该矿物定名为Moissanite.后来经过......
优势产业初步形成rn《兵团建设》:去年召开的兵团党委六届六次全委(扩大)会议上,自治区党委书记张春贤指出,“十二五”期间兵团要......
采用含特种基团有机硅聚合物制备了拉伸强度为3.92MPa,扯断伸长率为285%的新型硫化硅橡胶,与道康宁公司Sylgard184硅橡胶相比具......
山东大学产学研校企合作.成立山大SIC(碳化硅晶体)产业化基地。SIC的主要产品是碳化硅衬底和蓝宝石衬底。广泛应用于光电子、电力输送......
晶体的本领洪昀王耆编译碳化硅制成的电子开关将能运行在会破坏硅芯片的环境当中。碳化硅装置能在热得足以熔化铅的温度为450℃的金星......
<正> Silicon carbide is a technologically important material due to its superior mechanical and electronic properties. T......
全球有机硅及宽带隙半导体技术领先企业道康宁公司近期推出全新碳化硅(SiC)晶体分级结构,为碳化硅晶体创立了行业新标准。......
西安理工大学电子工程系&陕西省新型半导体材料与设备工程研究中心碳化硅研究组从事半导体碳化硅晶体生长技术及生长设备研究开发10......
[上海硅酸盐研究所]11月4日上午,中科院副院长詹文龙视察上海硅酸盐研究所嘉定园区。詹文龙首先视察了上海硅酸盐研究所碳化硅晶体......
碳化硅晶体硬度高,属于难加工材料,环形金刚石线锯加工具有切缝窄、加工效率高、加工质量好、能加工硬度高尺寸大的脆性材料的优势。......
近期,不少杂志报道美国北克罗里达州一家公司发明了一种叫SyntheticMoissanite的合成物质,即将取代合成立方氧化锆而成为钻石更好的代用品。这种合成物质......
碳化硅晶体作为第三代半导体材料的代表,在电子电力器件、高亮度发光二级管等节能环保领域有着广泛的应用前景。......
采用C语言建立了碳化硅(SiC)晶体生长炉三维温度场数值模拟平台,基于柱坐标系构建生长炉物理模型,采用有限体积法离散数学模型,利......
中红外激光(3~5μm)在环境监控、气体分子识别、相干断层成像、军事等领域有着重要应用,特别是近年来在高次谐波产生单个阿秒脉冲的研......
微波加热技术凭借其节能高效、清洁环保的先进加热技术优势,成为近年来备受材料制备领域关注的一种新型和环境友好型的加热方式,引......
随着光电子、微电子技术的发展,碳化硅晶体作为第三代半导体材料得到了广泛的应用和高度的重视。而碳化硅晶体硬度高、脆性大,是一......
物理气相输运法(PVT)是实验室最为常见的碳化硅(SiC)大块单晶生长方法。本文在碳化硅晶体生长模型化研究中,针对碳化硅单晶PVT生长......
研究了SiC晶体高温化学气相沉积生长机理,从SiC晶体高温化学气相沉积生长过程的化学原理、反应条件、反应过程、一般工艺等方面进行......
利用X射线衍射(XRD)研究中子辐照6H-SiC晶体的退火特性,发现辐照后晶体的XRD峰的半高宽(full width at half maximum,FWHM)增大,之......