栅极电压相关论文
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了沟道宽长比为6 000/10的有机薄膜晶体管。通过比较在不同时期器件在空气......
目前,恒温培养箱的温度控制电路,常见的是利用电子管栅极电压在某一数值时,呈现截止状态的原理,以水银电接点温度计控制电子管栅......
采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情......
InSb是一种窄带隙材料,它具有大的朗德g因子,高室温迁移率和大的自旋轨道相互作用。鉴于其优越的材料特性,InSb体材料以及InSb量子......
用陈化处理过的锌粉为原料,采用高温气相氧化法制备四针状氧化锌材料。应用厚膜、光刻工艺和丝网印刷法制作氧化锌场发射阴极阵列......
目前，在有机共轭聚合物中，电声相互作用对电子输运性质的影响仍是一个重要的研究课题。在较低偏压范围，随着分子长度增加，有些共轭聚合......
在研究有机半导体的进程中提高器件的光电性能一直是研究所追求的目标，而影响器件性能的关键因素便是有机半导体薄膜中的电荷输运机......
本文介绍一款美国DAVID BOGEN生产的,用电视机行扫描输出管6AV5GA作功率放大管的专业用功放K030.输出级工作于乙类推挽工作状态,裂......
本文介绍用功率放大用五极管UZ42做输出管的全直流耦合单端功率放大器，为了增加输出功率将UZ42栅极电压的工作区域扩大至正压的区域......
探究了弗兰克-赫兹实验的最佳实验条件及第一激发电位,通过分析实验数据得出最佳实验条件为灯丝电压3.3V,第一栅极电压1.7V,拒斥电......
通过改变Si-MOSFET的栅电压、源电压、漏电压和栅氧化层厚度等参数,分析和求解栅介质下载流子迁移率、沟道内电流密度、电场、雪崩......
针对IGBT驱动保护问题，提出了一种新的驱动保护电路．采用555集成电路作延时降压电路．电路具有状态检测功能、延时缓降栅压功能和降压......
Maxim公司的MAX16928是具有升压转换器和栅极电压稳压器的汽车TFT-LCD显示器电源解决方案，集成了一个升压转换器，一个1．8V／3．3V稳压控制......
弗兰克赫兹实验随时间的延长,在同一加速电压下测量到的电流会呈现先增大、后减小的变化,重复实验造成的温度改变也会对实验结果产......
针对目前IGBT功率模块内部键合线故障需要通过复杂辅助电路才能实现识别、监测的难题,本文提出一种根据IGBT模块实时开关波形对键......
通过模型构建、数值计算和软件模拟,对绝缘衬底上的硅(SOI)基栅控横向P-I-N(通用结构)蓝紫光探测器在-25~75℃的电流-电压(I-V)特......
<正>前级出声,后级出力!之前已介绍过前级功放的制作[1],在此介绍一款与之相配的6L6推挽后级。两者结合,音质完美,比单纯后级要耐......
场效应管（FET）因为通过它的电流只能是空穴电流或电子电流的一种，故又称为单极性器件。又因为流经该器件的电流受控于外加电压所形成......
根据Au/CuPc/Al/CuPc/Au三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管的测试结果,分析了该三极管动作特性与器件结构的关系.结果表......
<正>KT88这只电子管五十年代产于美国,当时的名字叫6650,欧洲的名字叫KT88,由于该管的性能优异,仿制的国家和地区众多,我国曙光电......
近年来，以风力发电为代表的新能源发电技术得到了快速而全面的发展，风力发电在电网中的比例逐年增大，成为除水电外最成熟、最具工业规......
本文介绍 MOS 型场效应晶体管的特点,电流方程及场效应晶体管推挽压控振荡器的设计计算,并且讨论该振荡器易实现宽波段的特性。文......
半导体微结构的尺度可以与电子的相位相干长度相比较，在输运过程中，电子保持“相位记忆”，表现为量子弹道式输运和具有量子相干性．本文......
通过控制栅极电压技术,有效地控制LaB6阴极电子枪发射系统电子束发射的通与断,成功实现了新型台式微束斑X射线源的脉冲辐射.该X射......
<正>五极管的管脚知识和一些接法是很重要的,因为知道了管脚,才能合理运用,如在将五极管接成三极管使用的那几个接法中,每种接法都......
利用改造后的第一代夫兰克-赫兹实验仪，通过计算机输入不同实验参量，得到相应实验条件的曲线及数据；在同一坐标界面中显示不同参量的......
功率管保护是通过将其操作限制在SOA的有限V-I平面(plane)区域内,保护电路通常采用返送(foldback)电流限制,但这种方法无法复制SOA......
<正>MOSFET是大多数开关电源(SMPS)中晶体管的选择。MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率。为了在功率应用中选择最好的开关,本文......
<正>三相控制整流器和变换器,矩阵循环换流器以及级联功率级一般都含有大量功率晶体管,每支晶体管都有自己的驱动电路。图1中的电......
<正> 试做FU-13单端甲类胆机,让我以及我的学生们大饱耳目之福,得以在临近毕业时,终于明白了胆机为什么在音响技术领域里具有如此......
<正>本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主......
<正>引言 在当今的开关电源设备中,当电源电压在200V以下时, 主开关功率器件一般都使用功率MOS器件。所以深入了解 功率MOS器件的......
传统的硅基半导体技术正临近发展极限，信息产业即将面对重要历史转折点，这也是中国信息产业界前所未有的机遇。伴随着可移动智能设备......
<正>对于五极管来说,认清管脚的各个作用是很重要的,因为知道了管脚的作用,才能更合理地运用它们。例如将五极管接成三极管使用时,......
电子帘加速器是一种低能电子加速器，广泛应用于薄膜辐照及涂层固化。在实际工业应用中，辐照幅度较宽的材料时需要较长的阴极，这样阴极......
<正>学习如何设计自动增益控制电路,为下一步进行接收机项目开发作准备。当我使用自己的Utrla-RX1超声波接收机接收40kHz的CW信号......
分析了器件中载流子迁移率的基本理论及其受温度、掺杂浓度、栅极电压以及漏极电压的影响，并总结了测量器件中载流子迁移率的几种常......
通过对IGBT模块栅极电压米勒平台的时延与结温Tj的关系进行研究，首先从理论角度分析了米勒平台时延温度特性；其次设计了稳定可靠的米......
IGBT栅极电压的米勒平台时延与结温有着密切的关系,是IGBT失效的一种重要表征量,因此精确测量IGBT栅极电压米勒时延对于IGBT模块的......
用弗兰克-赫兹实验计算氩原子第一激发电位通常得不到理想的结果。实验参数不同,结果将不同,通过控制变量,对比实验图像,找到了最......
MOSFET作为主要的开关功率器件之一,被大量应用于模块电源中。了解MOSFET的损耗组成并对其分析,有利于优化MOSFET损耗,提高模块电......
