埋层相关论文
底鼓是煤矿开采过程中常见的巷道变形现象，底鼓使得巷道断面变形，阻碍矿井的安全高效生产。分析巷道底鼓的主要原因，以便采取有力措施......
本文提出了一种新的用于半桥应用的高可靠性1200V高压集成电路(1200VHVIC)。它适合于驱动工业级逆变器系统中的功率MOSFET/IGBT模......
遵照毛主席“七·二一”光辉指示,我们实践小组与天津半导体器件厂工人相结合,在厂各级党组织领导下,在工人师傅和技术人员的具体......
本文报导了锑乳胶源埋层扩散的实验结果,讨论了影响扩散质量的若干因素,并与箱法锑扩进行了比较.实验获得埋层薄层电阻为20Ω/□,......
介绍了横向PIN二极管及其在硅基等离子天线方面的应用,用一维理论分析了载流子大注入情况下横向PIN二极管本征区载流子浓度分布。......
提出一种具有埋层低掺杂漏(BLD)SOI高压器件新结构。其机理是埋层附加电场调制耐压层电场,使漂移区电荷共享效应增强,降低沟道边缘......
素有太行山下“小江南”、青山绿水“金博爱”之称的博爱县,辖10个乡镇234个行政村,43万人,土地总面积489平方公里。这里有驰名的......
叙述了以双极型工艺为主体的ＢｉＣＭＯＳ结构中ｐ阱电阻比值非线性的特性及其与芯片合格率的关系。在ｐ阱下面采用埋层，抑制或消除了ＢｉＣＯＭＳ中；ｐ阱结构的寄生......
在传统AlGaN/GaN肖特基二极管中,阳极漏电始终是制约器件耐压提高的一个重要因素。因此文中研究了在缓冲层中生长P型埋层并与阳极......
给出了图形漂移的定义,综合介绍了埋层外延中图形漂移的监测方法,其中包括常规的磨角染色法和无损伤测量垂直和平行于参考面两个方......
采用磁控溅射设备，当衬底温度为500℃时，在Si（100）基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品。使用Raman，AFM和低角X射线技术对样品进行检测和......
宽禁带半导体碳化硅以其优越的性能成为功率电子器件的理想材料且得到了广泛的研究。4H-SiC JBS(Junction Barrier Schottky Diode......
LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)作为功率集成电路的核心器件,近年来成为国内外众多器件研究者研究的热点。然而,横向高压......
采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入......
