宽禁带半导体碳化硅以其优越的性能成为功率电子器件的理想材料且得到了广泛的研究。4H-SiC JBS(Junction Barrier Schottky Diode)二极管结合了PiN二极管和肖特基势垒二极管SBD(Schottky Barrier Diode)两者的优势，具有小开启电压、低反向漏电流、高击穿电压和高开关速度等特性，因此在高压和高速领域具有广阔的应用前景。围绕高压4H-SiC JBS器件的设计，本文利用二维半导体模拟软件ISE-DESSIS进行了结终端技术和新型结构的研究：由于受到电场集中效应的影响，器件的耐压将会严重下降，因此必须使用相应的结终端技术。本文讨论了常用的平面结终端技术，包括场板、场限环、结终端扩展等技术来改善耐压，分析了各种技术的工作机理及其结构参数对击穿电压的影响；在此基础上，设计了将三种技术结合使用的一种复合型终端技术，结果表明该结构改善了器件击穿电压的可靠性和稳定性。在器件的外延层中引入了埋层结构，研究表明浮结型埋层的加入能大大提高器件的耐压，并能改善导通电阻与击穿电压之间的矛盾；详细分析了埋层的参数对器件特性的影响，包括埋层位置、间距以及套刻偏差等。本文的最后讨论了在主结边缘引入埋层的新型结构，该结构能有效降低器件的反向漏电流，根据模拟结果指出了埋层的设计需要在导通电阻与反向漏电流之间进行折中。