【摘 要】
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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在低温下制备了富硅氢化氮化硅薄膜.利用红外吸收(IR)谱,光电子能谱(XPS)和光致发光(PL)谱,研究了在不同温度下退火的薄膜样品的结
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，中国科学院知识创新工程项目
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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在低温下制备了富硅氢化氮化硅薄膜.利用红外吸收(IR)谱,光电子能谱(XPS)和光致发光(PL)谱,研究了在不同温度下退火的薄膜样品的结构和发光特性.在经过低温退火的薄膜中观测到一个强的可见发光峰.当退火温度较高时,随着与硅悬键有关的发光峰消失,可见发光峰位发生了蓝移.讨论了退火对薄膜中硅团簇的形成及其对发光的影响.根据Raman谱,计算了氮化硅薄膜中硅团簇的尺寸大小.通过实验结果和分析,我们认为PL谱中较强的室温可见发光峰来自于包埋于氮化硅中的硅团簇.
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