半导体材料相关论文
有机-无机金属卤化物钙钛矿是一类半导体材料，具有适合各种光电应用的特性，比如可调控的直接禁带宽度、高的吸光系数和长的载流子扩......
半导体材料作为重要的战略性新材料，近几年在国家政策、市场需求的推动下得到了快速发展，但整体上仍然落后于国际先进水平。研究半导......
随着现代材料科技的创新发展，半导体材料已经由第一代的硅、锗等元素半导体材料，发展为以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料，推......
光电化学（Photoelectrochemical,PEC）传感作为近年来快速发展的一种新型分析技术,具有分析响应快、背景噪声小、成本低和易于小型化......
分析表明,我国目前正在新建和扩建的晶圆生产线和封装生产线都将进入量产。探讨我国半导体材料市场规模,主要半导体材料产品的发展......
二维半导体材料如石墨烯、黑磷、过渡族金属硫化物,因其尺寸小、易集成、光电性能优良等优点,是现阶段微型化光电器件的良好沟道材......
近年来,钙钛矿型金属氧化物YFeO3受到人们的关注。YFeO3作为一种稳定的窄带隙P型半导体材料,具有良好的光催化活性和磁光特性,广泛......
TiO2因其优良的光电性能、良好的稳定性和成本低廉等特点常被用作光生阴极保护中的光阳极材料。然而TiO2存在对可见光利用率低、光......
目前,我国经济发展速度逐渐加快,社会各行各业应用电子设备的数量逐渐增加.在这种情况下,半导体材料的应用价值开始迅速提升.为进......
近年来,环境中广泛存在的持久性有机污染物——全氟辛酸(PFOA)引起了社会与学界广泛关注,对于PFOA的高效处置一直是研究热点和难点......
随着社会的高速发展,时代的不断革新,我国的科学技术也取得了长足的进步.为了响应社会的要求,低维半导体光电探测材料的研究得到了......
为贯彻落实《国家标准化发展纲要》,本文从国际环境及背景出发,介绍了目前半导体材料行业及标准化的基本情况,提出做好我国半导体......
P型CuSCN无机半导体材料具有合适的能级位置、优异的化学稳定性、高的空穴迁移率、低成本等优点,在太阳能电池、光电探测器、发光......
光助-自供能生物传感器（Photo-assisted fuel cell based self-powered biosensor,PFC-SPB）是近几年发展的一种新型电化学生物传感检......
一般情况下半导体材料可以吸收一个能量大于带隙的光子,使价带中的一个电子跃迁到导带.但是,在某些特殊的情况下,半导体材料也能吸......
在新工科背景下，半导体材料、工艺及器件课程具有很强的专业实践性和时代创新性，对学生的专业操作能力、学n科知识范围、知识应用能......
与无机半导体材料相比,有机半导体材料具有高吸光系数、制备工艺简单及成本低等优势,被广泛应用于自旋电子和光伏光电等领域。在自......
稠环芳烃的几何和电子结构可以通过多种化学修饰手段进行调控,进而表现出丰富的半导体活性,在有机电子学器件领域展现了广阔的应用......
电子材料是现代电子工业的物质基础,而半导体材料（如Si、Ge、GaAs、AlAs、Si C等）作为电子材料的一个重要的组成部分,被广泛应用在航......
自从基于仙农信息论的现代通信方式问世以来,人们不断追求更高的传输速率、更大的信息容量和更高的通信质量。以光子作为信息载体......
介绍了第7届全国大学生物理实验竞赛综合研究性实验试题D的命题背景、实验内容和答案,并给出了学生参赛结果分析.综合研究性实验试......
用溶胶凝胶法制备了纳米TiO和铁掺杂的纳米TiO,对产物在不同温度下进行热处理.结合热重、X射线衍射、透射电镜和光吸收测试等测试......
通过Sol-gel法制备纳米WO材料.通过X射线衍射谱图和红外光谱图对WO溶胶和粉体进行表征.实验表明选用过量HO可得到晶型较完整的WO材......
本文以钛酸四丁酯Ti(OBu)为原料,用溶胶-凝胶方法在ITO玻璃上制备了均匀透明的聚氧乙烯(PEO)掺杂的PEO-TiO有机-无机复合涂层,研究......
本文介绍了运用高温、原位扫描电子显微镜(STM)对采用SiH作气源引起的Si在Si(111)和Si(113)表面上沉积生长过程进行了比较研究.STM......
氧化锌作为一种多功能材料,在很多领域已有广泛的应用.近年它作为新的紫外发光材料而日益受到重视.各种各样的技术手段用于这种材......
利用光催化氧化降解有机污染物己成为当今最活跃的研究领域之一,而常用的TiO2因为其光催化效率和太阳能利用率低限制了广泛的应用,......
实验采用频率为40.68MHZ的等离子体化学气相沉积设备制备了大面积三结硅锗电池，其顶电池p层采用p-SiOx：H材料。并通过调节r(CO2/SiH4......
用射频(13.56MHz)反应溅射法制备了a-SiC:H薄膜,并将制得的薄膜采用高能r射线进行辐照.采用电阻率、Raman及红外光谱对薄膜的结构......
