碳化硅相关论文
随着我国电动汽车保有量的不断攀升,充电基础设施短缺成为制约电动汽车行业发展的重要因素,国家颁布了大量优惠政策鼓励充电桩的建......
本文对反应烧结碳化硅框架窑具与原有窑具进行了比较得出：同一梭式窑反应烧结碳化硅比原来使用的窑具多装了17.17%；反应烧结碳化硅框......
以三元体系Al2O3-Y2O3-SiO2作为SiC粉末的烧结助剂，石墨烯、淀粉、鳞片石墨为造孔剂，低温制备高孔隙率的多孔碳化硅陶瓷。探讨了造孔......
对碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）进行完备的测试表征，包括变温下的静态特性，动态特性测试；对其中一些关键参数的影响......
碳化硅（SiC）材料作为第三代宽禁带半导体材料之一,具有非常良好的物理和电学特性,在制造功率器件方面具有广阔的应用前景。与Si基MOS......
采用金属Al箔作为连接材料，探究空气气氛下连接温度对SiC陶瓷连接接头结构和性能的影响。结果表明，1000℃连接时金属Al的过量流失会......
碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料（C/SiC）具有各向异性、不均匀性、硬度高、脆性大的特点,是典型的难加工材料。钻削碳纤维增强碳化硅......
在传统的瓦特镀镍液中添加粒径约为50 nm的纳米Si C和纳米石墨（以[C]表示）颗粒，利用超声电沉积在紫铜板上分别制备了Ni–SiC和Ni–Si ......
碳化硅（SiC）作为第三代半导体，具有宽禁带、高临界场强、高热导率、耐高温、耐腐蚀等优良性能，然而，良好的欧姆接触是制造SiC器件必不可......
高压碳化硅（SiC）器件因具有耐高压、耐高温、低损耗等优异特性，已成为支撑未来新型电力系统建设的新型电力电子器件。本文基于自主研......
本文采用红柱石颗粒、碳化硅粉、氧化铝微粉、金属硅粉和金属铝粉为原料，首先通过反应体系的设计，设定赛隆相Si6-ZAlZOZN8-Z的Z值为2......
碳化硅（Si C）宽禁带半导体材料是目前电力电子领域发展最快的半导体材料之一。绝缘栅双极晶体管（IGBT）是全控型的复合器件，具有工作频率......
随着移动通讯技术的发展,科技进步给人类生活带来了便利,同时也给信息安全和国防安全提出了挑战,抗电磁干扰材料可以有效的解决电......
碳化硅因其高硬度、高强度、高耐磨、高导热、耐腐蚀、抗冲蚀等特点，被广泛应用于航空航天、能源、环境、交通、信息技术等领域。宁......
为了更准确地计算机械密封在水泵中的散热及温升，对某双碳化硅带槽水封进行结构简化，忽略非重要散热面对仿真结果的影响，基于Pumplinx......
为了更准确地计算机械密封在水泵中的散热及温升，对某双碳化硅带槽水封进行结构简化，忽略非重要散热面对仿真结果的影响，基于Pumplinx......
本文介绍了现代硅基核心功率半导体器件IGBT的历史演变和新型器件结构的研究进展，阐述了该器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等......
综述了三氧化二铝-碳化硅-碳浇注料防氧化技术的防氧化效果以及对材料性能、组成和结构的影响，根据含碳耐火材料的氧化损毁机理，主要......
作为第三代宽禁带半导体材料的碳化硅（SiC）具有高临界电场、高热导率等特性，以此材料制作成的PIN功率二极管器件可以满足高速轨道交通......
第三代半导体材料碳化硅（Silicon Carbide,SiC）具有禁带宽度大、击穿场强高、中子俘获截面小和离位阈能高等特性,这使得SiC器件在航......
碳化硅陶瓷具有许多好的性能。然而也存在许多亟待解决的问题,SiC陶瓷不但烧结温度高而且硬度远远没有达到预期要求,开发低耗能、......
近年来，光电催化裂解水制氢已经发展成为获取氢能最重要的途径之一。然而，半导体材料固有的较低的光吸收效率和较高的载流子复合率成......
碳化硅在功率器件的制造中具有巨大的应用价值，随着高功率半导体市场份额的不断增加，超薄大直径碳化硅晶圆的需求量日益增加。但是由......
选用3D打印制备的碳纤维增强碳化硅陶瓷基（Cf/SiC）复合材料被广泛应用在航空航天、国防军事等重大领域。碳纤维（Cf）作为陶瓷基复合材料......
碳化硅（SiC）是一种性能优异的结构陶瓷材料,但硬度高难以加工,传统成型工艺在制备复杂精细结构碳化硅陶瓷部件时具有一定的局限性;陶......
可电火花加工的导电碳化硅（SiC）陶瓷不仅可以克服传统高电阻率SiC陶瓷难加工的突出缺点，而且能够保留传统高电阻率SiC陶瓷的其他优异......
第三代宽禁带半导体碳化硅（Si C）功率器件在航天、航空和核工业等强辐射领域的极端环境下应用时会受到辐照损伤的影响诱生缺陷，最终导......
碳化硅是一种重要的化工原料，应用广泛，氮是其半绝缘性能的直接判定依据，目前尚无相关检测标准。碳化硅中的氮在浓硫酸和混合催化剂的......
得益于高压、高频、高温以及高功率密度等优越特性,SiC MOSFET器件具有极大潜力被广泛应用于电动汽车、充电桩以及光伏逆变器等领......
介绍了一种应用于高速动车组充电机的VIENNA整流器,全部采用碳化硅（SiC）功率器件。与传统的硅（Si）不控整流器相比,基于SiC的VIENNA整流......
以SiC、硅粉、SiO2等为原料，通过反应烧结制备Si3N4–SiC陶瓷样品，并进行高温氧化，研究了高温氧化前后的结构与力学性能。结果表明：高......
随着碳化硅器件（Si C）广泛应用,高频、高压的工作环境以及电力电子变换器高功率密度化的要求,给Si C器件驱动设计带来了新的挑战,主......
对Si3N4-SiC砖、国产Si3N4-Si2N2O-SiC砖、国外Si3N4-Si2N2O-SiC砖、SiAlON-SiC砖、氧化物结合SiC砖、自结合SiC砖、SiC浇注料等碳......
以MWCNTs与SiC为原料，分别对两种物质进行修饰，然后将修饰改性后的两种材料采用水热法进行复合，得到了SiC/MWCNTs纳米复合材料。通过S......
研究采用粉末冶金（1400℃，20 MPa）制备添加了不同质量分数（3%、5%、7%、10%、12%、15%）钴元素的Al2O3/SiC复合材料，研究Co含量对于Al2O3/......
研究碳源种类对晶硅废料制备碳化硅的影响并制备出高附加值的碳化硅微粉，为晶硅废料的回收再利用提供理论指导。对以晶硅废料为原料......
以碳化硅和高岭土为原料，利用原位反应合成法制备了氧化物结合碳化硅材料，并基于响应面法，采用材料显气孔率、常温抗折强度和热震稳定......
随着现代材料科技的创新发展，半导体材料已经由第一代的硅、锗等元素半导体材料，发展为以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料，推......
针对碳化硅泡沫陶瓷材料具有大比表面积、高气孔率、耐高温、抗化学腐蚀、热稳定性好、低密度等优良特性，对碳化硅泡沫陶瓷的制备工......
本文根据《中华人民共和国进出口税则（2022）》规定和行业通则，分析金属硅、碳化硅、硅铁和硅渣的商品知识和归类化验方法。金属硅、碳......
碳化硅以优异的物理性能和良好的工艺性能，逐渐成为大型空间成像光学系统主镜的首选轻量化光学材料。碳化硅镜坯制备及加工过程中引......
