北京同步辐射LIGA技术深度光刻技术研究

来源 :第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:asd2303690
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深度光刻技术是LIGA技术的关键和核心,该技术的研究是一个综合过程,包括光源性能,曝光设备性能,光刻胶性能,显影技术等多方面的影响.本文通过对光源性能的研究和光刻胶性能的研究,探讨北京同步辐射深度光刻的潜能,挖掘出LIGA技术的深度光刻能力,满足各方面对LIGA技术的需要.
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在γ、n混合场中测量脉冲辐射时,探测器的γ、n甄别能力是使用者特别关注的特性之一,本工作针对φ60mm×600μm硅PIN新型半导体探测器,用质能吸收系数法计算了γ灵敏度,用国外文献中提供的截面相关数据计算了中子灵敏度;对其部分能量点的γ、n灵敏度进行了实验测量检验;研究结果表明:对于6MeV以内的中子,φ60mm×600μm硅PIN探测器的γ灵敏度均高于相应能量的中子灵敏度,中子能量越低,探测器
本文介绍一种先进的ICP硅深槽刻蚀工艺,在刻蚀周期中引入少量的O2,形成由CFx聚合物淀积和氧离子幅照产生的双层保护层,强烈保护硅槽侧壁不被刻蚀,保证了高的各向异性刻蚀,有效的改善了硅深槽侧壁形貌,使得侧壁平坦光滑.
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本文主要就等离子体刻蚀技术进行了轮廓性的描述,阐述了在集成电路的深亚微米加工阶段其所面临的挑战与发展。
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牺牲层释放技术是制备薄膜器件的关键技术之一,牺牲层去除能释放表面硅工艺中的薄膜悬浮结构,或形成空腔.然而在释放过程中,多数情况下会出现粘连现象,导致结构失效.为解决该黏附问题,基于固态升华原理研制了一种牺牲层释放设备.结合牺牲层释放的特殊工艺要求,分析了其主要结构及特点.最后采用该设备对一种微机械可变衰减器进行了结构释放,实验证明该设备可以成功应用于富硅型低应力氮化硅薄膜器件的牺牲层释放工艺.
极紫外光刻中掩模板热变形是不可忽略的.本文采用有限元方法,针对工业化生产条件(80wafer-per-hour)计算掩模板热变形.抗蚀剂感光度为7mJ/em2时,x-y平面内最大变形为1.6rm,z方向最大变形为0.27nm.掩模板热变形引起掩模图形偏移,最大偏移为1.6nm.经过曝光显影,对于45nm密集线,掩模板热变形引起抗蚀剂图形的CD变化0.06nm、侧壁角度变化1.78°、抗蚀剂图形最大
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随着集成电路(IC)芯片制备中最小线宽的不断缩小和浸没式光刻技术的引入,像差对特征图形尺寸的影响规律需要进一步研究.在65nm分辨率节点处,分别采用传统和环形两种照明方式,讨论浸没式ArF光刻中杂散光、运动标准偏差(MSD)和光线偏振等因素作用下,像差对特征图形尺寸的影响.分析结果表明:杂散光、MSD和光线偏振等因素对像差引起线宽变化的影响明显,当杂散光量和MSD值增加或偏振方向和特征图形线条方向