【摘 要】
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在γ、n混合场中测量脉冲辐射时,探测器的γ、n甄别能力是使用者特别关注的特性之一,本工作针对φ60mm×600μm硅PIN新型半导体探测器,用质能吸收系数法计算了γ灵敏度,用国外文献中提供的截面相关数据计算了中子灵敏度;对其部分能量点的γ、n灵敏度进行了实验测量检验;研究结果表明:对于6MeV以内的中子,φ60mm×600μm硅PIN探测器的γ灵敏度均高于相应能量的中子灵敏度,中子能量越低,探测器
【机 构】
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中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳,621900 中国工程物理研究院电子工程研究所,四
【出 处】
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第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会
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在γ、n混合场中测量脉冲辐射时,探测器的γ、n甄别能力是使用者特别关注的特性之一,本工作针对φ60mm×600μm硅PIN新型半导体探测器,用质能吸收系数法计算了γ灵敏度,用国外文献中提供的截面相关数据计算了中子灵敏度;对其部分能量点的γ、n灵敏度进行了实验测量检验;研究结果表明:对于6MeV以内的中子,φ60mm×600μm硅PIN探测器的γ灵敏度均高于相应能量的中子灵敏度,中子能量越低,探测器γ甄别能力越高;当γ能量为3MeV以上时,探测器的γ甄别能力均大于10.该类探测器这种特性,对于在γ、中子混合场中测量γ辐射,提高探测信噪比是有益的.
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