绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)具有导通压降小、电流密度大、耐压高、开关速度快及热稳定性好等优点,在电力电子领域,尤其是在电机驱动系统中得到了广泛的应用。场截止型IGBT(Field Stop IGBT,FS-IGBT)以其更低的导通压降,逐渐在电机驱动系统中取得主流地位,但电机驱动中的三相桥逆变电路对FS-IGBT的短路鲁棒性提出了很高的要求。目前,国内外针对FS-IGBT第一、第二及第三类短路的研究并不多,因此研究FS-IGBT短路鲁棒性具有重要意义。本文首先详细研究了FS-IGBT在桥式电路中遇到的三种不同类型的短路情况,并根据不同情况搭建相应的测试平台。大量实验分析发现负载电压过高和栅电阻过大是导致第二、三类短路失效的重要原因,而第一类短路在上述条件下并不会失效。经过理论和仿真分析发现,短路开启阶段栅氧化层两侧的电势差过大,从而造成栅氧化层击穿,最终导致器件失效;此外,短路过程中大量的自由载流子改变了IGBT漂移区等效掺杂浓度,使得N型缓冲层和N型漂移区结处出现尖峰电场,从而引发剧烈的动态雪崩,造成器件失效。在机理分析的基础上,给出在N型缓冲层中设置浮空P型区等结构,在保证FS-IGBT器件其它性能参数的基础上,提高了器件的短路鲁棒性。本文所给出的两种FS-IGBT新结构在400V负载电压下的短路承受时间均从改进前的4μs提升到10μs,击穿电压均超过为650V,在电流密度100A/cm~2下的导通压降均为1.8V以下,各项参数均达到设计指标要求。