6H-SiC是一种第三代半导体材料，具有宽带隙，高电子密度和电荷迁移率，优良的热传导和机械性能，在电子学和光学领域具有广泛的应用前景。本文对6H-SiC三阶非线性光学性质和超快吸收与折射动力学过程做了以下研究：　　1）利用Z-scan技术研究了6H-SiC和N掺杂6H-SiC的三阶非线性光学性质，两者对515nm和800nm飞秒脉冲均表现为反饱和吸收与自聚焦，反饱和吸收来自于双光子吸收，自聚焦是由于克尔效应。发现N掺杂能增强6H-SiC的非线性吸收与折射，分析了间接带隙跃迁和直接带隙跃迁对Z扫描实验现象的影响。　　2）利用相位物体（phase object,PO）泵浦-探测技术研究了6H-SiC和N掺杂6H-SiC对515nm飞秒脉冲的超快吸收与折射动力学。发现在零延迟时间两样品都表现为反饱和吸收与自聚焦性质，讨论了反饱和吸收和自聚焦的机制，分析了N掺杂引起导带内和带间弛豫过程的影响。　　3）研究了6H-SiC的瞬态吸收特性，发现N掺杂在特定波长内对载流子瞬态吸收光谱起到增强作用，讨论了N掺杂对瞬态吸收光谱的影响。