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近日，一支由法、美、德三国研究机构和大学组成的国际研究团队利用新方法合成了宽度仅为40 nm 的高质量石墨烯纳米带，并成功在室温下验证了其非凡的导电性能。据悉，此前的石墨烯纳米带边缘较为粗糙，这严重影响了其导电性，是阻碍石墨烯纳米带电子传输的一大障碍。为解决这一问题，研究人员在碳化硅晶体上切割出边缘整齐的带状凹槽，并直接在这些凹槽上制备石墨烯纳米带。在测试新制备纳米带导电性的实验中，其常温下的电子迁移率是应用于计算机内存的硅半导体的1000倍。