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<正>理论和十余年的研发实践都已证明,碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体比硅更适合用来制造电力电子器件。随着材料与器件工艺以及封装技术的逐渐完善,这些器件超乎寻常的高阻断电压、低通态比电阻和比热阻、低开关损耗、
宽禁带半导体电力电子器件研发新进展
【摘 要】
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<正>理论和十余年的研发实践都已证明,碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体比硅更适合用来制造电力电子器件。随着材料与器件工艺以及封装技术的逐渐完善,这些器件超乎寻常
【机 构】
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西安理工大学
【出 处】
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电力电子技术
【发表日期】
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2009年11期
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