【摘 要】
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研究了SiC晶体高温化学气相沉积生长机理，从SiC晶体高温化学气相沉积生长过程的化学原理、反应条件、反应过程、一般工艺等方面进行探讨，并分析了沉积温度、气体压力、本底真空
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研究了SiC晶体高温化学气相沉积生长机理，从SiC晶体高温化学气相沉积生长过程的化学原理、反应条件、反应过程、一般工艺等方面进行探讨，并分析了沉积温度、气体压力、本底真空及各反应气体分压（配比）对SiC单晶生长及其缺陷形成的影响，基于以上分析，得出高温化学气相沉积法生长碳化硅晶体最佳的工艺条件。
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