电学稳定性相关论文
“Flexionet”技术可实现银纳米线膜材料技术卷对卷量产,耐弯折性佳,在制备触摸屏时展示出很好的电学稳定性,在不影响光学性能的同时,......
采用射频磁控溅射方法,在氩气、氧气和氮气的氛围下在P型重掺杂的硅基片上研制了非晶掺氮氧化铟锌沟道层及其薄膜晶体管(a-IZO......
针对不同Bi2O3添加量对ZnO压敏陶瓷直流电场下电学稳定性的影响进行了研究.结果表明单纯增加Bi2O3添加量将对ZnO压敏陶瓷电学性能......
固体氧化物燃料电池(SOFC)是一种高效、清洁的能源利用技术。电池堆是SOFC发电系统的核心部件,其优越的电输出性能和稳定性是SOFC商......
半导体ZnO压敏陶瓷是一种电子陶瓷器件,由于其宏观电阻率会随外加电场而变化,表现出优异的非线性电压-电流特性,主要被用于感应、......
共振隧穿二极管(RTD)是一种基于量子隧穿现象的两端负阻纳米电子器件,它以其特有的高频,高速,负阻等优势特点成为了近年来微电子器件......
电子信息存储器在市场上占有越来越大的份额,越加显示其重要性,而金属-绝缘体-金属(MIM)和金属-氧化物-半导体(MOS)结构是电子信息......
研究了Cr Si Al和Cr Si Al N两种薄膜的微观结构及电性能。结果表明 :溅射态非晶Cr Si Al和Cr Si Al N薄膜在加热到 70 0℃的过程......
采用磁控溅射方法制备了Cr-Si-Ni电阻薄膜,研究了薄膜在模拟酸性(0.1mol/LHCl)和碱性(0.1mol/LNaOH)溶液环境中的电学稳定性和长期使用可靠......
研究磁控溅射法制备的Cr-Si-Ni和Cr-Si-Ni-Al电阻薄膜在模拟的碱性环境(NaOH溶液)中,介质溶液浓度和温度对薄膜电学稳定性的影响及其......
研究了退火态Cr-Si-Al和Cr-Si-Al-Zr薄膜的微观结构和电性能.结果表明,溅射态非晶薄膜Cr-Si-Al和Cr-Si-Al-Zr在加热到700 °C......
过去,鲜有Zr掺杂氧化铟锡(ITO)薄膜电学稳定性及耐蚀性的研究报道。采用磁控溅射法制备了ITO薄膜和Zr掺杂ITO薄膜(ITO:Zr),研究了2种薄膜......
采用X射线衍射分析、SEM、阻值测量等手段,通过实验研究了Nb2O5掺杂对MnCoNi系NTC热敏电阻材料的影响。以MnCoNi系为基,掺入适量的Nb2O5后,其阻温特性变化规律与传统......
研究了Cr-Si-Al和Cr-Si-Al-N两种薄膜的微观结构及电性能,结果表明:溅射态非晶Cr-Si-Al和Cr-Si-Al-N薄膜在加热到700℃的过程中,将析......
采用不同处理参数对氨纶进行等离子体预处理,测试最终氨纶导电长丝的电导率,研究不同预处理参数对氨纶导电长丝电导率的影响以及该......
辐射交联是提高热塑性炭黑导电复合物的电学稳定性、消除负温度系数(NTC)效应的主要方法.介绍了正温度系数(PTC)的基本原理,辐射交......
研究了磁控溅射法制备的Cr-SiNi电阻薄膜在不同模拟环境介质溶液中的电学稳定性及腐蚀行为。结果表明,500℃热处理后纳米晶结构的Cr......
一种低介电常数绝缘介质α-SiCOF薄膜(非晶硅碳氧氟薄膜)及其制备方法。现有该类产品介电常数较高、薄膜漏电流密度大、介电强度和电......
在降低导电填料含量提高导电复合材料加工性能的同时,如何保持甚至提高复合材料的导电性以及电学稳定性是目前导电高分子复合材料......
基于低成本溶液法的浸渍提拉成膜工艺以无机In-Al-Zn-O(IAZO)为沟道层,以有机聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为介质层,研制了无机/有机混合型......
背景:在电化学基因芯片中,氟掺杂氧化锡(FTO)薄膜载体材料的化学修饰、DNA杂交反应等需要在不同的介质溶液中进行,而各种介质溶液......
新型非晶氧化物半导体(AOS)材料非晶铟镓锌氧(a-IGZO)具有高迁移率、高透明度、低制备温度、低成本等优越性能,在下一代平板显示、......
本课题以研发新型氧化物半导体沟道层材料为目的,研制了以非晶掺钨氧化铟锌(a-IZWO)薄膜作为沟道层,氧化铝薄膜作为介质层的薄膜晶......