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氧化铪（HfO2）介质材料是目前用来取代SiO2的最有前途材料之一。介绍了HfO2的制备方法，对几种制备方法进行了比较，并分析了各种制备方法的优缺点。比较了HfO2介质材料的电学性能、热稳定性能及可靠性能，综述了HfO2介质材料的前景，指出原子层淀积（ALD）是制备HfO2介质材料的最好方法之一。