高介电HfO2薄膜的制备及其结构和界面特性研究

来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jojoyks

【摘要】

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报道了用低温等离子体直接氧化溅射金属铪膜的方法制备高介电HfO2薄膜.研究了退火温度及气氛对薄膜的结构和界面特性的影响.傅立叶变化红外测试结果表明:界面的主要成分为SiO

【作者】

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何刚方起张立德

【机构】

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中国科学院,英国帝国理工大学

【出处】

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功能材料

【发表日期】

：

2004年z1期

【关键词】

：

等离子体氧化氧化铪高介电薄膜制备界面

【基金项目】

：

国家重大基础研究"973"资助项目(1999064501)和中科院百人计划项目(B20010404)

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报道了用低温等离子体直接氧化溅射金属铪膜的方法制备高介电HfO2薄膜.研究了退火温度及气氛对薄膜的结构和界面特性的影响.傅立叶变化红外测试结果表明:界面的主要成分为SiO2,氧气气氛下的高温退火将导致界面SiO2的不可控制的生长.高纯的N2退火导致了界面层的分解,引起Si-O键的振动峰位的轻微移动.

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