【摘 要】
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为了提高Ga2O3基日盲紫外探测器的性能,本文使用分子束外延方法对β-Ga2O3薄膜进行Sn掺杂,并制备成MSM型日盲紫外探测器。结果表明,Sn掺杂可以改变薄膜晶体结构,使氧化镓薄膜
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61504022),中央高校基本科研业务费(ZYGX2018J026).
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为了提高Ga2O3基日盲紫外探测器的性能,本文使用分子束外延方法对β-Ga2O3薄膜进行Sn掺杂,并制备成MSM型日盲紫外探测器。结果表明,Sn掺杂可以改变薄膜晶体结构,使氧化镓薄膜由单晶向多晶相转变。同时,Sn掺杂紫外探测器的光电流和响应度相比于未掺杂器件产生了较大的提升,在254nm、42μW/cm^2紫外光照下,Sn源温度900℃制备的薄膜探测器响应度为444.51A/W,远高于未掺杂器件。此外,器件的-3dB截止波长从252nm调整到274nm,表明Sn掺杂可以有效调控紫外响应的波长。Sn掺杂也会
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