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点缺陷对声子的散射是影响电绝缘体热导率的重要机制之一，其中声子频率是影响声子散射的重要因素．本文主要研究声子频率对同位素掺杂硅声子散射的影响．首先产生一个窄频率范围的声子波包，然后使用分子动力学（MD）模拟声子在同位素掺杂硅中的散射过程，在原子尺度下清晰展示了声子对同位素掺杂的散射过程，并对能量的透射率和反射率进行分析．将模拟结果和已发表的理论结果相比较，在单个同位素掺杂缺陷下，在临近共振频率区域内用改进的R．O．Pohl公式成功的拟合了MD结果，这一结果会对在较宽频率包括非色散和色散声子范围内构造声子热