台面刻蚀相关论文
响应波段在1～5.5μm的锑化铟（InSb）红外焦平面探测器具有灵敏度高（相对于铂硅Pt Si）、工艺成熟度高（相对于碲镉汞MCT）等优点,目前已被广泛......
本文详细描述了4H-SiC功率MESFET台面光刻技术,利用光刻胶阻挡离子束台面刻蚀,其工艺简单,重复性好,获得良好的4H-SiC刻蚀表面,有......
分析了台面刻蚀程度对埋栅型SITHI-V特性的影响,表明台面刻蚀不足或过蚀程度太深都可能造成栅电极电压不能有效施加到栅体上,从而......
针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管（SITH）栅阴击穿特性的影响做了实验研究。实验结果表明，随着台面刻蚀深度的增大，器件栅阴击穿......
分析了台面刻蚀程度对埋栅型SITHI-V特性的影响,表明台面刻蚀不足或过蚀程度太深都可能造成栅电极电压不能有效施加到栅体上,从而......
研究了不同腐蚀体系对InAs／GaSb超晶格材料台面的刻蚀，并从中选择了由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的酒石酸腐蚀体系。该体系较适合In......
主要介绍了双色碲镉汞红外焦平面阵列的应用需求和国外发展现状,对其工作模式、器件结构、器件制备的关键工艺技术、双色读出电结......
本论文首先介绍了静电感应晶体管SIT作用机理,在此基础上系统分析了材料参数、工艺参数和结构参数与器件电性能的关系。对各种特性......
传统的湿法腐蚀工艺由于各向同性的特点,象元钻蚀严重,导致器件占空比下降,限制了锑化铟大面阵红外焦平面的发展。基于电感耦合等......
期刊
对埋栅型SIT,为切断栅极和源极（或阴极）之间在外延过程中形成的连体,打开栅电极区,进行外延后的台面刻蚀,对台面刻蚀的深度和形状进......
