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4H-SiC功率MESFET台面光刻技术研究

来源 :全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：meal09

【摘 要】

：

本文详细描述了4H-SiC功率MESFET台面光刻技术,利用光刻胶阻挡离子束台面刻蚀,其工艺简单,重复性好,获得良好的4H-SiC刻蚀表面,有利于器件的性能提高.SiC的台面刻蚀需要较长

【作 者】

：

冯忠 王雯 陈刚 李哲洋 柏松 蒋幼泉 

【机 构】

：

南京电子器件研究所射频集成电路制造部,南京 210016

【出 处】

：

全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议

【发表日期】

：

2008年期

【关键词】

：

4H-SiC 功率 MESFET 台面刻蚀 掩膜 性能提高 光刻技术 工艺 表面 重复性 离子束 光刻胶 问题 微管 时间 缺陷 器件 描述 金属 处理 

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本文详细描述了4H-SiC功率MESFET台面光刻技术,利用光刻胶阻挡离子束台面刻蚀,其工艺简单,重复性好,获得良好的4H-SiC刻蚀表面,有利于器件的性能提高.SiC的台面刻蚀需要较长时间,通常金属掩膜又会带来微管、缺陷及不易处理等一系列问题。利用GaAs背孔工艺刻蚀掩膜,用作4H-SiC台面刻蚀掩膜,得到良好的4H-SiC台面刻蚀表面.

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