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研究了不同腐蚀体系对InAs／GaSb超晶格材料台面的刻蚀，并从中选择了由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的酒石酸腐蚀体系。该体系较适合InAs／GaSb超晶格材料的刻蚀，刻蚀速率稳定，下切效应小。进一步研究发现当HF达到一定浓度后不再影响刻蚀速度；在较低的酒石酸和双氧水浓度下，刻蚀速度是由氧化过程控制，且反应速度和双氧水的浓度成正比。腐蚀液配比为酒石酸（3．5g）：H2O2（4mL）：HF（1mL）：H2O（400mL），刻蚀速度约为0．5μm／min。