反冲原子相关论文
基于蒙特卡罗软件Geant4，探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程，建立质子和中子在硅......
我们用14MeV中子引起~(133)Cs(n,α)反应所形成的~(130)I热原子的氧化价态分布来研究核反应直接形成的热原子碘的状态。首先用~(1......
在(n,γ)核反应的化学效应方面,前人曾用氯酸盐、溴酸盐、碘酸盐、高锰酸盐、高铼酸盐、亚硒酸盐、铬酸盐、磷酸盐和砷酸盐等含氧......
利用同位素作示踪的时候,合成标记的有机化合物是很重要的一环。一般的办法是采取化学合成、化学交换、或生化合成的方式。这些方......
用内耗方法研究γ辐照对碳在α-铁中脱溶的影响,放射源是Co~(60),样品是直径为1.25毫米的工业纯铁丝,结果表明:γ辐照引起内耗峯的......
基于二元碰撞的物理模型，蒙特卡罗计算法被用来模拟具有数千电子伏特能量的离子在固体中的散射过程。该种方法首先被用来计算入射离......
一、溅射的定义和分类荷能粒子轰击时固体表面被腐蚀的现象称为“溅射”。确切地说,不是粒子轰击靶表面的所有侵蚀现象都定义为溅......
在40°和70°斜入射条件下,用100keV Ar~+、Ne~+轰击铜靶,Ar~+所产生的溅射原子角分布的溅射优先方向分别位于表面法线的两侧,溅射......
用３５０ｋｅＶＹｂ~＋在室温下注入了单晶硅，并用卢瑟福背散射／沟道技术测量了注入离子在硅中的射程分布谱和晶格损伤谱。用表面能量近似和平均能量近......
Monte-Carlo计算机模拟程序,SIBL,用来描述离子束增强沉积(IBED)制备氧化硅薄膜的生长过程,提供薄膜组分的深度分布及界面混合等有......
高能注入离子在固体中的损伤分布一般采用直接法计算.但是在化合物靶的情况下,各类靶反冲原子所淀积的损伤能及其分布矩难以正确估......
本文描述了用溅射粒子捕集器和Rutherford背散射分析测定溅射粒子角分布的实验方法。给出了100keV Ar~+在入射角分别为0°、30°、......
引言本文对由于天然和长寿命放射性同位素体內沉积而引起的标准人平均剂量率进行了估算。这里说的天然放射性同位素包括α,β和γ......
经过将近三年的努力,以基奥尔沙(Ghiorso)为首的一些科学家在美国加州大学劳伦斯輻射实驗室合成并鉴定了一个新元素,它的原子序数......
离子束作为一种新技术应用于生物品种改良的研究是由中国科学院等离子体物理研究所于1986年开创的。离子束注人作物弓l变，不仅损伤......
已观察到,通过充气钻孔的γ能谱测井,估算铀时存在着大量可变误差。扣除实测能谱的特征钾、铀和钍组分之后,剩下的残余能谱与代表......
描述了母体201Pb原子在不同介质和化学环境,经电子俘获衰变后生成的反冲子体201T1原子的化学价态。结果表明,201Pb在所选择的化学......
基于蒙特卡罗软件Geant4，探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程，建立质子和中子在硅......
反应堆燃料和材料研究注入Ｎ￣＋对３１６不锈钢、超纯Ａｌ、６０６１Ａｌ合金电化学性能的影响马雁，卢浩琳，杨启法，杨洪广３１６不锈钢、超纯Ａｌ和６０６１Ａｌ合金是工程上常用的３种材料......
空间高能质子辐射损伤效应研究是保证在轨航天器安全运行的重要措施,本文基于蒙特卡罗软件Geant4针对航天器壳体的屏蔽效应和半导......
利用蒙特卡罗软件GEANT4模拟太阳宇宙射线中能量为1 MeV~10 GeV质子对航天飞行器的影响,透射质子对半导体材料的损伤效应,计算外壳......
利用蒙特卡洛软件GEANT4模拟了质子对半导体Si材料的位移损伤效应的能量损失。根据反冲原子的能量,引入反冲原子能量Lindhard-Robi......
