双槽电化学腐蚀法相关论文
本实验通过双槽电化学腐蚀法生长多孔硅(PS),采用浸渍沉积法分别制备纳米Cu、Ag、Zn/多孔硅复合气敏薄膜,进而制成电阻式气体传......
通过双槽电化学腐蚀法可以有效地制备多孔硅基底材料,本文通过依靠小鼠IgG抗体与免疫蛋白的作用来对于蛋白质芯片构建的效果进行评......
论述了多孔硅的特点和制备方法,简单介绍双槽电化学腐蚀法的特点,并采用双槽电化学腐蚀法成功制备了多孔硅。多孔硅的扫描电镜(SEM)照......
采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,主要研究了腐蚀条件及硅基体掺杂浓度对多孔硅孔隙率的影响,并且结合原子力显微镜(AFM)、扫描电子显......
采用双槽电化学腐蚀法成功的制备了多孔硅,从多孔硅的SEM照片中发现。孔径尺寸小,均匀性好,腐蚀深度大(超过100μm),在极稀的弱碱溶液中......
采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅材料,形成了Pt/多孔硅/P^+型单晶硅/多孔硅/Pt的样品微结构。主要研究了腐蚀条件及氧化后处理对这一......
采用双槽电化学腐蚀法于光照条件下在n型单晶硅片衬底上制备多孔硅(n-PS);在室温下,采用500~700 nm范围内荧光光谱和扫描电镜(SEM)测试......
本文通过双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,主要研究腐蚀电流密度与腐蚀时间两个制备因素对制备的多孔硅的微观结构的影响。本文在p+<10......
通过双槽电化学腐蚀法制备大面积(12mm×58mm)均匀的多孔硅片,以小鼠免疫球蛋白G(IgG)与兔抗小鼠IgG抗体的相互作用为模型,证明其......
采用化学腐蚀法、单槽电化学腐蚀法和双槽电化学腐蚀法来进行多孔硅的制备,通过对比这三种方法所制备多孔硅的表面形貌特征,发现双......