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采用双槽电化学腐蚀法成功的制备了多孔硅，从多孔硅的SEM照片中发现。孔径尺寸小，均匀性好，腐蚀深度大（超过100μm），在极稀的弱碱溶液中就可以得到去除，然后对双槽化学腐蚀法中腐蚀时间及电流对腐蚀速率的影响进行了研究，最后进一步探讨了多孔硅外貌与硅衬底晶向之间的关系。
微传感器制备中多孔硅牺牲层技术的研究
【摘 要】
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采用双槽电化学腐蚀法成功的制备了多孔硅，从多孔硅的SEM照片中发现。孔径尺寸小，均匀性好，腐蚀深度大（超过100μm），在极稀的弱碱溶液中就可以得到去除，然后对双槽化学腐蚀法中腐蚀
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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2008年2期
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