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采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅材料，形成了Pt/多孔硅/P^＋型单晶硅/多孔硅/Pt的样品微结构。主要研究了腐蚀条件及氧化后处理对这一微结构横向I-V特性的影响。结果表明该微结构横向I-V特性主要由多孔硅层的电学特性所决定，呈现出非整流的欧姆接触特性。
多孔硅电学特性研究
【摘 要】
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采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅材料，形成了Pt/多孔硅/P^＋型单晶硅/多孔硅/Pt的样品微结构。主要研究了腐蚀条件及氧化后处理对这一微结构横向I-V特性的影响。结果表明该微结
【机 构】
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天津大学电子信息工程学院
【出 处】
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材料工程
【发表日期】
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2008年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（60371030,60771019）.
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