乙硅烷相关论文
CO_2是最重要的可再生碳源之一.为了将CO_2转化为有用的有机化合物,我们研究了二种模型硅基“废”材料—乙硅烷和硅粉的反应活性.......
用气态源分子束外延法对Si及GeSi/Si合金进行了N、P型掺杂研究,结果表明,杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争......
用气态源分子束外延(GSMBE)法研究了GexSi1-x合金的低温(≤500℃)生长动力学问题,所使用的源分别是乙硅烷和固态锗.在恒定的乙硅烷流量(4scm)Ge源炉温度(1200℃)下,合金中......
生长温度对SiGe合金的性能有重要影响.在双腔超高真空化学气相淀积生长中,通常采用液氮冷却的方法.该生长模式下,通入乙硅烷时腔内......
日本东京化成工业公司成功地开发出 1,1,2 ,2 -四苯基乙硅烷 (TPDS) ,它是一种在有机合成的自由基反应中使用的无毒自由基还原剂。TPDS在空......
用从头算方法HF/6-31G~(**)和密度泛函方法B3LYP/6-31G~(**),对Si_2Cl_6分子的平衡几何构型进行优化,优化的结果与实验结果吻合得......
第2期光CVD技术专辑用于半导体工艺中的光CVD技术Hg敏化光CVD-SiO_2薄膜的研究硅衬底上光CVD-SiO_2薄膜附着力和应力的研究Hg敏化......
日本富士通公司在世界上首次利用光外延技术试制LSI获得成功.光外延技术采用热与紫外光照射并用,在比老方法低400℃的低温条件下生......
化学物质职业接触限值四乙氧基硅烷Tetraethoxysilane(78·10—4)四乙基船(皮)(以铅计)Tetraethyllead(as Pb)(78-00-2)四氢呋啸Te......
CO2是最重要的可再生碳源之一.为了将CO2转化为有用的有机化合物,我们研究了二种模型硅基“废”材料—乙硅烷和硅粉的反应活性.在......
探讨8种常见单取代乙硅烷交叉式(R-Si_2H_5)和重叠式稳定性差异的物理作用本质。尝试采用密度泛函理论(DFT/B3LYP)优化分子骨架结构,结......
以含有Si-O-Si键及si—Si键的物质为原料,采用气相法制备低比表面积纳米二氧化硅。考察不同分子结构对最终样品粒度、比表面积的影......
The hydrogen abstraction reaction of O (3P) with Si2H6 has been studied theoretically.Two transition states of 3A" and 3......
用Mg2Si制备SiH4必然伴随产生Si2H6.经二级低温冷凝 ,分子筛吸附和恒温恒压汽化等工艺技术过程,能够对两种气体进行最有效的分离 .......
采用气态源分子束外延(GSMBE)法成功地生长出应变GexSi1-x/Si异质结合金,所使用的源分别是乙硅烷和固态锗。用固态锗取代气态锗烷,即保留了生长中由氢化......
CO_2是最重要的可再生碳源之一.为了将CO_2转化为有用的有机化合物,我们研究了二种模型硅基"废"材料—乙硅烷和硅粉的反应活性.在这......
乙硅烷是一种主要用于太阳能电池生产的电子气体,与硅烷相比具有沉积速率快、沉积温度低的优点。本实验采用卤代乙硅烷还原法制得了......
本方法的特点是在溶剂中还原乙硅烷衍生物得到乙硅烷,在常压或加压下进行反应,而且在加温至10~80℃的反应液中吹入惰性气体,从溶剂中可......
<正> 在半导体工艺中,如低压化学气相沉积法(LCVD)制备多晶硅和氮化硅薄膜,以及等离子刻蚀等工艺,都要使用特种气体。有些特种气体......
乙硅烷作为一种电子气体,主要用于太阳能电池以及电子产品中。目前,太阳能电池及电子产品中所用到的非晶硅的生产中,非晶硅薄膜大......
对我国半导体生产过程中几种主要特种气体的现状进行了回顾,指出了我国超纯电子气体国产化过程中存在的问题。......
甲苯择型选择转化催化剂该催化剂由约束指数1—30的分子筛组成,经选择剂和甲苯处理。分子筛(最好用ZSM-5分子筛)用含硅选择剂(最好是有机硅化合......
<正> 日本三井东压化学公司1984年在大阪工业所内建了一个半导体用乙硅烷工业化生产装置,并正式投产。乙硅烷可作为半导体外延膜生......