SnO2薄膜相关论文
随着半导体行业的发展,紫外光电探测器（UV PDs）在医疗、军工以及民用等领域有着广泛的应用,引起了科研工作者们的重点关注。Sn O2作......
硒化锑（Sb2Se3）具有带隙合适、吸收系数高和良性晶界等优点,是一种很有发展前景的光伏材料。经过近几年的发展,Sb2Se3太阳能电池的转......
本论文系统的介绍了利用常压汽相沉积(CVD)技术在线制各Sb掺杂SnO2低辐射薄膜的研究,结果表明用在线CVD法可以有效的实现在SnO2中......
本文采用超声雾化喷涂工艺制备SnO2透明导电薄膜,反应溶液为SnCl4水溶液,选用F和Sb作为掺杂元素,通过改变掺杂量、衬底温度等工艺......
采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备SnO2薄膜, 通过对薄膜的不同处理方式(热处理和氨处理)所获得的SnO2薄膜的比较, 研究了氨处理SnO2薄......
电子传输层在钙钛矿太阳电池中起着重要作用，TiO2作为一个最常见电子传输层被广泛应用在钙钛矿电池器件中，但是由于TiO2的低载流子迁......
本文采用尖端导流法在SnCl2前驱液表面有序组装PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)单层薄膜.利用该薄膜为模板,在镶嵌有Ag-Pd叉指电极的陶......
二氧化锡（Sn O2）是一种n型宽禁带半导体材料,具有优异的化学稳定性和特定的光电性能,是一种常用的透明导电材料,在太阳能电池、平板......
近年来,钙钛矿太阳能电池因其迅速提高的光电转化效率受到广泛关注。有机-无机杂化钙钛矿材料吸光层具有高的吸光系数（105）、长的载......
薄膜晶体管（TFT）是下一代平板显示器（FPD）的关键部件。与传统的硅基半导体材料相比,以In2O3基（如InGaZnO（IGZO））为代表的透明金属氧化物半......
采用二步热氧化法制备SnO2薄膜。首先把真空蒸发法制备的金属锡膜在低于锡熔点的氧气气流中氧化半小时,然后提高氧化温度至400-550......
随着半导体行业的出现和发展,SnO2薄膜良好的光电性能受到人们的广泛关注,并逐渐形成以SnO2薄膜为基础的发光器件、大而积显示器、......
氢气传感器早已广泛应用于家庭生活、医疗卫生、能源及环境检测等众多领域。而SnO2作为一种应用最为广泛的气敏材料，一直是作为研究......
透明导电氧化物薄膜由于其电阻接近金属,在可见光范围内具有较高的透射率,在红外范围具有高反射率及半导体特性,在光电器件应用中......
二氧化锡(SnO_2)是一种宽带隙的金属氧化物。SnO_2 薄膜具有可见光透过性强、紫外吸收系数大、有一定红外反射能力、化学性能稳定......
二十一世纪被称为“纳米世纪”,纳米材料的制备、表征方法、性能及应用研究已成为当前新材料研究的重点。纳米结构材料的制备,模板......
为改善SnO_2气敏元件的敏感特性,本论文采用平面结构,利用溶胶-凝胶法和纳米薄膜的优点,制备掺杂Ag的SnO_2气敏薄膜,该体系气敏元......
报道了用喷雾热分解法在不同温度下制备二氧化锡薄膜， 发现其在３２５℃时已晶化， 得到四方相多晶ＳｎＯ２。这种薄膜具有明显湿敏效应。测量表明， ......
SnO2薄膜具有透明导电的特性,因而被制成透明电极而广泛应用于平板显示器和太阳能电池中。研究表明,经掺杂的薄膜具有更优异的光电......
采用真空气相沉积法在玻璃和单晶硅衬底[111]上制备纳米SnO2及稀土金属钕掺杂薄膜,并对薄膜进行热处理。对薄膜进行XRD、SEM测试。......
采用溶胶－凝胶法以ＳｎＣｌ２·Ｈ２Ｏ和ＺｒＯＣｌ２·８Ｈ２Ｏ为原料，制备出性能优良的纳米ＳｎＯ２薄膜材料。用Ｘ射线衍射仪分析了晶相，ＴＥＭ分析了微观结构。研究了掺杂、处理温度等对......
采用超声雾化喷涂法沉积得到 Sn O2 薄膜和掺氟离子 Sn O2 薄膜。通过改变掺杂量和选择合适的工艺条件可控制掺氟 Sn O2 薄膜的方......
阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景。介绍了采用磁控溅射技术 ,使用混合气体Ar和O2 ,在衬底温度为 15 0～ 40......
针对化学气相沉积法在玻璃衬底上制备的SnO2薄膜,建立了计算模型,研究了SnO2薄膜的反射光谱性质,计算出相关的光学参数。结果表明:......
以SnCl4·5H2O为原料、用Sol-gel法制备出了SnO2薄膜,并对该薄膜的气敏特性进行了测试.结果表明,SnO2薄膜低温下对乙醇气体有......
用ANSYS仿真软件得到最优化的气体传感器电极结构，采用平面工艺在硅衬底上制作了3mm×2mm的直热式SnO2薄膜甲醛气敏元件。用溶......
通过加入不同的有机添加剂，以电沉积一热氧化法制备了3种不同形貌的多孔SnO2薄膜，再电沉积Pt，制备得到不同形貌的多孔Pt／SnO2薄膜。通......
利用溶胶-凝胶法配制了SnO2前驱溶液墨水,采用喷墨打印技术在金叉指氧化铝基片上制备了不同打印次数的SnO2气敏薄膜元件,通过XRD,S......
采用溶胶凝胶法浸渍提拉工艺制备透明导电膜，并考察了Sb^3＋的掺杂量、膜的厚度、热处理温度对薄膜电阻的影响，以及不同的处理方法对薄......
采用高温共烧陶瓷(HTCC)技术设计制备半导体气体传感器敏感芯体。敏感芯体分为两层结构:加热层和叉指电极层。运用磁控溅射技术在......
用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备纯SnO2和掺稀土Nd的SnO2薄膜,在500℃氧气气氛条件下进行45min热处理,获得良好的纳米SnO2薄膜和......
简介了喷墨打印制备薄膜技术的优势与特点,配制了SnO2前驱溶液墨水,并利用该技术在金叉指氧化铝基片上喷镀SnO2前驱溶液墨水,而制......
采用非醇盐溶胶-凝胶工艺在Al2O3基片上旋转涂敷制得掺Ag的SnO2薄膜。原子力显微镜和扫描电子显微镜分析显示：薄膜晶粒呈球形，600℃......
用真空热蒸发两步法在玻璃衬底制备SnO2和La掺杂SnO2薄膜。研究氧化、热处理工艺和La掺杂含量对SnO2薄膜结构、气敏特性的影响。结......
真空蒸发沉积薄膜再经热氧化获得n型掺La的ZnO和SnO2薄膜（玻璃衬底）.研究掺La含量与热氧化工艺对薄膜的物相结构、表面形貌和气敏特......
采用非醇盐溶胶-凝胶工艺在Al2O3基片上旋转涂敷制得掺Sb的SnO2薄膜。再经直流溅射制得掺Pt的Sb：SnO2薄膜,探讨了不同Pt添加量对气......
利用化学气相沉积,在玻璃衬底上生长了SnO2掺氟(FTO)薄膜.X射线衍射测试(XRD)显示所得的FTO薄膜具有四方相结构.通过掺氟可以提高S......
钛底层上的做 Sb 的 SnO2 电影的二种类型被电极淀积和 dip-coating 和单个 dip-coating (Ti/SnO2-Sb2O4 )(Ti/SnO2-Sb2O4/SnO2-Sb......
报道了用喷雾热分解法在不同温度下制备二氧化锡薄膜，发现其在３２５℃时已晶化，得到四方相多晶ＳｎＯ２。这种薄膜具有明显湿敏效应。测量表明，较高......
以SnCl4.5H2O作为反应前驱物,采用溶胶-凝胶法制备了纳米SnO2薄膜,对薄膜烧结的温度及时间等工艺进行了研究,得到了最佳的烧结条件......
采用SnCl4*5H2O为起始原料，无水乙醇为溶剂，SbCl3为掺杂剂，采用溶胶-凝胶法在玻璃基板上成功制得了SnO2薄膜，并通过XRD、SEM及薄膜光学......
将SnO2：Sb和SbCl3分别溶解于乙醇中，搅拌至完会溶解，以不同的Sb／Sb混合制备得到溶胶后，分别采用浸渍提拉、喷涂、旋涂工艺制备透明导电......
采用反应磁控溅射法制备SnO2薄膜经常出现化学计量比的失衡问题。通过控制溅射过程中的氧分压制备不同化学计量比的SnO2-x薄膜，研究......
采用磁控溅射技术，使用混合气体Ar和O2，在衬底温度为150-400℃的耐热玻璃基片上制备了纳米晶SnO2：Sb透明导电薄膜，通过测定X射线衍射谱......
论述了金属氧化物SnO2的气敏机理,并对通过掺杂金属、金属离子、金属氧化物以及形成复合型、多组分氧化物等方法制备SnO2薄膜气敏......
