静电感应晶闸管相关论文
以静电感应晶闸管(SITH)的长期工艺实践为基础,总结和研究了器件结构参数对SITH主要性能参数的影响,并分析了其原因,提出了改善SIT......
分析了台面刻蚀程度对埋栅型SITHI-V特性的影响,表明台面刻蚀不足或过蚀程度太深都可能造成栅电极电压不能有效施加到栅体上,从而......
深入研究了静电感应晶闸管的开通时间、关断时间,它们受空穴存贮时间、栅宽、n-区的厚度、阳极电流及栅极抽出的峰值电流的影响,在......
针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管（SITH）栅阴击穿特性的影响做了实验研究。实验结果表明，随着台面刻蚀深度的增大，器件栅阴击穿......
从应用角度出发 , 测量分析了国产静电感应晶闸管 ( SITH) 的主要电参数 , 特别是在 开启、关断特性上作了详细的研究 . 测试表明 ......
引入了一种SITH仿真模型.结合实验数据,利用PSPICE模拟软件,从等效电路的角度对静电感应晶闸管(SITH)进行了正向导通,类三极管正向......
在测试分析了国产静电感应晶闸管(SITH)主要性能的基础上,研制出几种驱动电路,并用它们作为主开关器件制成三种电源电路.对这三种......
描述了静电感应晶闸管（SITH）的优点、应用前景、结构特点及负阻转折特性。从SITH的作用机理出发,分别分析了导致负阻转折出现的几种......
讨论了静电感应晶闸管中的两个耐压参数--正向阻断电压和栅-阴击穿电压,并提出了改善它们的一些途径.......
提出了一种描述静电感应晶闸管在阻断态时的工作机理的SIT-BJT等效模型.在器件物理的基础上,分析得到的这个模型衔接了静电感应晶......
文章提出了用硅-硅直接键合(SDB)工艺替代静电感应晶闸管(SITH)中的二次外延,有效地提高了栅阴极击穿电压,增强了通过栅极正向阻断......
运用半导体器件数值模拟中的漂移-扩散模型,对静电感应晶闸管(SITH)的负阻转折特性进行了模拟和分析.通过对器件内场和载流子分布......
分析了SITH结构的掺杂电阻率、N-基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响,分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以......
静电感应晶闸管SITH(Static Induction Thyristor)是一种新型功率器件,与其它电力器件相比有一系列突出的优点:首先是用栅极可强迫......
