大功率硅-硅直接键合静电感应晶闸管的研制

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pgwork2011

【摘要】

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文章提出了用硅-硅直接键合(SDB)工艺替代静电感应晶闸管(SITH)中的二次外延,有效地提高了栅阴极击穿电压,增强了通过栅极正向阻断阳极电压的能力.对键合过程中硅-硅界面进行

【作者】

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姜岩峰黄庆安

【机构】

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北方工业大学,东南大学

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

硅-硅直接键合静电感应晶闸管电力器件 Silicon direct bonding （SDB） Static induction thyristor （

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文章提出了用硅-硅直接键合(SDB)工艺替代静电感应晶闸管(SITH)中的二次外延,有效地提高了栅阴极击穿电压,增强了通过栅极正向阻断阳极电压的能力.对键合过程中硅-硅界面进行了研究,提出了提高界面质量的工艺措施;同时,给出了控制栅阴极击穿电压一致性的方法.对采用此方法制成的SITH的I-V特性进行了测量,并给出了实际测试结果.

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