金属化层相关论文
本文采用显微结构的分析方法和性能测试手段,以二次金属化层为研究对象开展工艺试验,对陶瓷-金属封接工艺进行了新的探讨.分析结果......
研究氧化钛的加入量对氧化铝陶瓷金属化层微观组织结构、金属化层抗拉强度等性能的影响,同时考察金属化烧成温度和保温时间对金属......
介绍了计算相图的起因与发展 ,综述了利用 Gibbs生成自由能数据绘制简化的三元、四元相图的热力学方法 ,尤其是确定相图中直达连线......
99％BeO陶瓷在金属化和封接之后,Y元素明显地向BeO瓷中扩散。用90％W-10％Y2O3的膏在1740℃下烧结后,Y元素向BeO瓷中的扩散深度达335μm;......
德国TER塑料聚合物集团日前推出了为电镀工艺的需求量身定制的名为Terez Galvano的全新聚酰胺（PA6）产品系列，特点是表面光洁度和强度......
随着集成电路向多层结构方向的发展,对芯片进行失效分析必须解决多层结构下层的可观察性和可测试性.本文介绍了失效分析中去钝化层......
引言陶瓷与金属的封接是近代电子器件研制的关键工艺之一。近代电子器件的发展对陶瓷-金属封接工艺提出新的要求,而陶瓷-金属封接......
<正> 1 引言 电子元器件的失效分析技术,由于集成电路的产生和发展,发生了重大的变革。 从80年代初VLSI出现,至今线宽已减到亚微米......
本文主要从金属化配方、涂膏方法、金属化层的厚度、金属化温度和镍层的厚度等工艺角度对高纯、细晶AlO3陶瓷的封接性能进行研究和......
介绍了一种在碳纤维复合材料内表面金属化复合成型技术。所述的内表面金属化层是铜箔材料,利用其良好的柔韧性和延展性,采用类似于......
<正> 一、引言由于 GaAs FET 的基本器件结构和固有的良好线性特性,已经表明把有源元件和无源元件集成在同一晶片上,来实现在微波......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
化学镀镍工艺因其无需掩膜、区域选择性好和非电镀等特点,被广泛应用于电子封装工业中的沉积工艺。研究了陶瓷球栅阵列(CBGA)封装......
本文报导根据美国军用标准MIL-STD-883D第1005条规定对半导体器件进行加载寿命实验后金属丝键合点的失效情况。失效的金属丝键合点......
<正> 引言为了提高集成电路的可靠性,需要找到引起集成电路失效的物理机构,提出器件设计和制作工艺的改进措施,以利于提高器件的可......
基于塞贝克效应的热电转换技术,在大量分散的低品位废热转换电能方面有着不可替代的优势。以热电优值ZT为性能指标的热电材料研发......
在电子工业中陶瓷器件的应用正在日趋增加,如混合电路,多层陶瓷电路,接头、管座、绝缘子和电容器等.在制作这些器件的过程中通常要......
本文研究了金属化聚酯导电纤维的研制，并对金属化反应条件进行了较详尽的探讨。所制得的导电纤维既保持原纤维的强度、柔韧性及耐腐......
随着电力设施的迅速增长和发展,城乡电网的全面改造,真空开关管,特别是陶瓷外壳的真空开关管,以其特有的优势在电力行业的应用得到......
针对陶瓷金属封接,分别采取了打磨法和酸洗法两种不同的方法对陶瓷金属化层的表面状况进行处理,得到了两种不同的表面状态。利用划......
通过对95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层烧结前后显微结构的分析,对不同Mo含量金属化配方的块状烧结体及高纯高致密Al2O3陶瓷表面金属化......
期刊
现代空间活动和一些关键性的工业及科学应用都要求有绝对的把握性。即要求所有需要的系统功能都能成功地完成。在这些应用中,由于......
利用扫描电镜和能谱仪 ,分析了国内、俄罗斯、英国及德国公司生产的电真空用氧化铝陶瓷的金属化层显微结构和微区成分。比较了 4种......
随着半导体器件和电子制造业的发展,人们对半导体晶体管的性能和可靠性都有了更高的要求,半导体器件的封装也越来越受到重视。尽管......
本文先将氮化铝陶瓷氧化,然后在氧化层上采用Mo-Mn法对氮化铝陶瓷进行金属化,通过对氮化铝陶瓷、氧化层、金属化层的显微结构、成......
一、前言 半导体器件和集成电路的可靠性问题当前是半导体器件和集成电路应用中的一个重要问题,它关系到整机中的半导体器件和集......
