选择区域生长相关论文
A selective area growth double stack active layer electroabsorption modulator integrated with a dist
为制作与分布式的反馈激光(EML ) 综合的电镀物品吸收调节的人的一个新方法被建议。与方法，我们制作了选择区域生长两倍栈活跃的层 ......
采用选择区域生长、量子阱混杂和非对称双波导技术制作了电吸收调制器与半导体光放大器和双波导模斑转换器的单片集成器件.器件在......
高速光源是光通信系统的核心部件，一直是光电子领域的研究热点。在众多的光源方案中，电吸收调制器(Electroabsorption，EAM)与分布反馈......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用超低压(22×10~2Pa)选择区域生长(selective area growth,SAG)金属有机化学气相沉积(metal-organic chemicalvapor deposition......
本文报道了采用选择区域生长（Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ａｒｅａ ｇｒｏｗｔｈ， ＳＡＧ）方法，在 ＳｉＯ２作掩膜的 ＩｎＰ衬底上选择生长出高质量的 ＩｎＧａＡｓＰ－ＭＱＷ，并成功地制作出波长调谐范围达 ６．５ ｎｍ的可调谐 ＤＢＲ激光器和性......
采用超低压(22×102Pa)选择区域生长(selective area growth,SAG)金属有机化学气相沉积(metal_organic chemical vapor deposition......
采用超低压(22mbar)选择区域生长(Selective Area Growth,SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic ChemicalVapor Deposition,MOC......
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采用LP－MOVPE在SiO2掩膜的InP衬底上实现了高质量的InGaAsP多量子阱（MQW）的选择区域生长（SAG），通过改变生长温度和生长压力，MQW的适用范围......
采用选择区域生长、量子阱混杂和非对称双波导技术制作了电吸收调制器与半导体光放大器和双波导模斑转换器的单片集成器件．器件在波......
报道了基于选择区域生长和量子阱混杂结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成,集成器件显示出了良好的静态特性：阈值电......
