【摘 要】
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采用超低压(22mbar)选择区域生长(Selective Area Growth,SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic ChemicalVapor Deposition,MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多
【机 构】
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中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心,中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心,中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心,中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心,中国科学院半导体研究所国家光电子
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采用超低压(22mbar)选择区域生长(Selective Area Growth,SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic ChemicalVapor Deposition,MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well,MQW)材料.在较小的掩蔽宽度变化范围内(15—30μm),得到了46nm的光荧光(Photoluminescence,PL)波长偏移量,PL半高宽(Full-Width-at-Half-Maximum,FWHM)小于30meV.为了保证选择区域内的MQWs材料的均匀性,我们采用了新型的渐变掩蔽图形,并且运用这种新型渐变掩蔽图形,研究了渐变区域的过渡效应对材料生长的影响.我们还观察到,渐变区域的能量偏调量随着掩蔽图形宽度与渐变区域长度比值的增大而出现饱和现象.
High quality InGaAsP / InGaAsP multiple quantum well (MQW) was successfully fabricated using 22 mbar Selective Area Growth (SAG) metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) (PLD) wavelength shift of 46 nm and full-width-at-half-maximum (FWHM) of PL were obtained in the range of variation of masking width (15-30μm) Less than 30meV.In order to ensure the uniformity of the MQWs material in the selected area, we adopted a new gradient masking pattern and studied the effect of the transitional effect of the gradient area on the material growth by using this new gradient masking pattern .We also observed , The amount of energy offset in the graded region saturates with the ratio of the width of the masking pattern to the length of the graded region.
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