基于SAG和QWI结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：historycode

【摘要】

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报道了基于选择区域生长和量子阱混杂结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成,集成器件显示出了良好的静态特性：阈值电流为37mA；100mA激光器增益区偏置电流下，直流

【作者】

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张靖李宝霞赵玲娟王保军周帆朱洪亮边静王圩

【机构】

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中国科学院半导体研究所光电子技术国家研究中心

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年11期

【关键词】

：

可调谐激光器分布Bragg反射激光器电吸收调制器量子阱混杂选择区域生长 tunable lasers distributed Bragg reflec

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展规划（批准号：G20000683-1）,国家高技术研究发展规划（批准号：2001AA312050）和国家自然科学基金（批准号：90101023）资助项目

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报道了基于选择区域生长和量子阱混杂结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成,集成器件显示出了良好的静态特性：阈值电流为37mA；100mA激光器增益区偏置电流下，直流输出功率为3,5mW；当使用单模光纤耦合（耦合效率15％），调制器偏压在0～-2V之间时，静态消光比大于20dB；波长调谐范围为4．4nm，覆盖了6个100GHz间隔的WDM信道．

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