绝缘栅双极型晶体管相关论文
雷达发射机是雷达装备的核心组件,也是整个雷达装备中最昂贵的部分之一。发射机为雷达装备提供满足要求的射频发射信号,其性能的好......
在MMC实际运行中，IGBT或其驱动器故障会导致子模块直通短路，造成器件损坏，该短路工况对于IGBT的短路保护以及可靠性研究具有重要意义......
大功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块是柔性直流输电（HVDC）换流阀的核心部件,其损耗计算对系统的可靠性分析和散热系统设计具有重要意......
绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor，IGBT）模块在高压大功率电能转换领域具有广泛应用，在这些领域人们对IGBT模块......
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块以其驱动简单、功率等级高、功耗小、热稳定性好等优点,被广泛应用于光伏发电、航空航天、电动汽车、......
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）在工业领域应用广泛，但IGBT结温易受工况变化及其所处散热环境影响，散热通道不畅会使IGBT模块处于高温状态，长......
为获得绝缘栅双极型晶体管（IGBT）在工作过程中准确的功率损耗，基于数学模型及测试，建立了一种准确计算功率逆变器损耗模型的方法。通过......
针对逆变器核心部件绝缘栅双极型晶体管（IGBT）发生老化失效故障时会影响电力系统稳定运行的问题，为减少老化失效造成的损失并及时进行......
为实现高铁牵引整流器中绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）键合线老化程度的状态监测，文中提出一种基于集......
以“L”型热管散热器为研究对象，通过试验对比分析了压合型热管散热器与钎焊型热管散热器传热性能与均温性。在自然散热和走行风冷......
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电磁暂态模型的精度与计算效率可直接影响设备和系统的可靠性。为体现该器件的特性及其受到的应力,构建了......
在新能源革命的背景下,功率半导体器件电压等级不断提高。由于现阶段封装设计缺乏系统的理论指导,功率半导体更高的耐压水平使器件......
为了准确预测绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的老化状态，提出了一种基于改进鲸鱼优化算法（IWOA）优化支持向量回归（SVR）的IGBT老化预测方法。该......
控制电路在上电与掉电的过程中存在暂态过程,此时绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动信号容易失控,若主电路支撑电容已完成充电,会导致主......
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）具有低导通压降、高载流子密度、高输入阻抗和宽安全工作区等优点,常......
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）因其具备高输入阻抗、低导通压降等优点而备受青睐,被广泛应用于交通......
随着现代电力电子技术的不断发展,功率半导体器件的开关速度和功率等级都在进一步提高,其开关电压尖峰成为功率器件在发展过程中必......
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块的老化状态和封装结构对IGBT芯片的结温及温度分布产生影响,但传统热网络模型往往会忽视硅胶和外壳对......
相比于硅基绝缘栅双极型晶体管（Si IGBT）,碳化硅基金属-氧化物-场效应晶体管（SiC MOSFET）具有更低的功率损耗、更高的工作温度和更高的......
碳化硅（SiC）作为代表性的第三代宽禁带半导体材料,以其优良的物理化学性质,在大功率、高温、抗辐照等国防和民用领域具有广泛的应用......
绝缘栅双极型晶体管由于具有良好的性能而在新能源发电系统和电动汽车功率变换装置中得到广泛应用,但是IGBT的可靠性和安全性要求......
基于0.4μm标准BCD工艺,设计了一种带有软关断和欠压保护的IGBT去饱和过流检测电路(DESAT).采用Cadence软件设计并搭建电路,在Hspi......
针对大容量储能变频器的并联绝缘栅双极型晶体管(IGBT)均流问题,首先建立半桥模块功率回路杂散参数与不均流度的数学模型,分析功率......
传统绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)模块内部集成有PIN结构的Si基二极管作为续流二极管,该二极管开关......
高频、大功率一直是功率电路的发展方向.提高工作频率的主要方法,一是通过功率管的更新迭代,减小输入电容及增强其耐压、耐应力能......
IGBT全名称为绝缘栅双极型晶体管。它既具有MOSFET输入阻抗较高、驱动功率较小、开通和关断速度比较迅速的优点。又拥有BJT(双极型......
随着电力电子器件的发展，基于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的电压源型变换器在柔性直流输电系统中得以广泛采用。IGBT作为其中核心的功......
兰州重离子加速器冷却储存环(HIRFL-CSR)磁铁电源大多是开关电源,工作于脉冲大电流、高精度模式,各种功率等级的绝缘栅双极型晶体......
感应加热电源因其加热时间迅速,效率较高,加热温度高,控制易实现自动化等特点广泛应用于金属热处理、表面淬火等领域。现代电力电......
为了解决传统直线驱动装置采用旋转电机通过中间转换装置转换为直线运动，而带来的损耗大等诸多问题，直线电机应运而生。传统的直线电......
相对于多重化结构的SVG，链式SVG具有无需采用多重化变压器、开关频率低、动态响应快、谐波少等优点，逐渐成为了无功补偿发展的趋势。......
智能功率模块(Intelligent Power Module,IPM)将逻辑控制电路、高压功率器件、保护电路和输出电路集成在同一块芯片中,使得整个系......
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)具有导通压降小、电流密度大、耐压高、开关速度快及热稳定性好等优......
当前绝缘栅双极型晶体管(IGBT)由于性能优越,被广泛应用与新能源汽车、清洁能源发电、工业加热以及家用电器变频等领域。然而IGBT......
随着电力电子技术与工业智能化技术的不断进步与发展,以IGBT为例的电力电子器件的可靠性问题逐渐引起了科研工作者的重视。而通常......
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为能源变换与传输的核心器件,广泛应用于智能电网、轨道交通、航......
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为电力电子领域中部可或缺的器件,经过长时间的发展与进步,现已广......
为提高电机驱动和DC/DC变换器等功率电源的效率.V1系列智能功率模块(IPM)采用了全栅型CSTBTM硅片和新开发的专用控制芯片等一系列......
碳化硅(silicon carbide,SiC)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点.近20年来,SiC器件是国内外学术界......
为实现长脉冲输出并改善调制器的稳定性,提出了一种闭环控制的高压长脉冲调制器.首先,介绍了脉冲调制器的基本原理和组成;然后,分......
绝缘栅双极型晶体管(IGBT),因其良好的工作性能,具有高输入阻抗、低导通压降的特点,作为关键的功率电子器件用于我国航天运载火箭......
绝缘栅双极型晶体管(IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor)由于其较高的开关速度、较低的功率损耗以及易于控制和驱动而广泛......
近两年国内汽车的价格和竞争压力都在增大,行业利润率和销量已驶入下行通道。这一背景下,国家下发了一系列补贴政策鼓励新能源汽车......
