空间电荷限制电流相关论文
忆阻器是一种具有记忆功能的无源电子器件,它具有电阻的量纲,但其忆阻值与输入电流或电压的作用历史密切相关。忆阻器被定义为除了......
基于不同浓度FeCl3掺杂的4,4′-N,N′-二咔唑基联苯(CBP)设计制作了一系列的单空穴有机电致发光器件(OLED),采用空间电荷限制电流......
近年来,在LaAlO_3(LAO)/SrTiO_3(STO)异质结界面发现了高迁移率的准二维电子气(Q2DEG),这使通过调制绝缘体SrTiO_3表面和界面附近......
锆钛酸铅(Pb(Zr_xTi_(1-x))O_3,简写为PZT)薄膜是一种极具发展前景的电子功能薄膜,它具有剩余极化大、介电常数大、使用温度范围广......
在电气绝缘领域，聚合物老化一直是备受关注的热点。聚合物电致发光（Electroluminescence, EL）作为一种研究聚合物中空间电荷的注入、......
考虑载流子经过体材料内部所受限制对Fowler-Nordheim隧穿电流密度的影响,建立了高电场下有机单层器件的复合发光模型,并求出了复......
为研究纳米颗粒填充对复合介质阈值电场特性的影响,以低密度聚乙烯(low-density polyethylene,LDPE)为基料、纳米二氧化硅(silica)......
采用脉冲激光沉积技术在SnO2:F(FTO)衬底上制备了La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)薄膜。室温下利用直流电压对Au/LSMO/FTO三明治结构的器件......
利用稳态SCLC法和阻抗谱法测量了由溶液工艺制备的Tips-PEN薄膜的空穴迁移率,并对两种方法的测试结果进行比较和分析。测试样品是p......
通过测量p＋Si/PEDOT：PSS/Tips-PEN/Ag器件的J-V特性,研究了退火时间对溶液法制备Tips-PEN薄膜电流传输特性的影响.实验结果表明,在退......
为解决金属/立方氮化硼（ c-BN）接触问题,提出Si掺杂的立方氮化硼单晶的上表面采用Cu-Zn合金探针、下表面采用Ag浆烧结,制备一个空间......
研究了BiFe0.95Mn005 O3薄膜器件的双极性阻变效应.通过对薄膜器件的电流电压曲线进行电导机制的拟合分析,发现在低阻态时其电流电......
用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究.实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性......
测量了夹在两个金属电极间的非故意掺杂的n型立方氮化硼（cBN）晶体的伏安特性，它们为非线性曲线．使用不同的电极测量了20多个cBN晶体的......
从理论上研究了阴极发射电子初始能量对一维平面非相对论性双向流二极管内空间电荷限制电子、离子流密度的影响，并与阴极发射电子初......
采用全电磁PIC粒子模拟方法研究了磁场对球头阴极二极管物理特性的影响.结果表明外加磁场主要是通过对二极管束流轨迹的改变来影响......
采用直流磁控溅射技术制备了Si衬底上的非晶GaN薄膜.GaN肖特基二极管伏安曲线不能简单地用包含串联电阻和复合电流效应的热电子......
随着工程电介质领域研究的发展,诸多没有得到公认解释的问题逐渐出现,为此,本文提出了几个重要的问题及思考以供相关研究工作者参......
利用射频磁控溅射的方法在SrTiO3(001)基片上制备了(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n超晶格结构.对所制备的超晶格结构进行了50—150℃......
采用激光分子束外延法在Si（111）衬底上制备出沿c轴取向的AlN薄膜,在此基础上制备了Au/AlN/Si金属-绝缘体-半导体（MIS）结构。研究了结构......
基于等离子轰击和射频磁控溅射技术,制备了HfO2/SrTiO3结构的全氧化物场效应晶体管(FET),并研究了其栅极漏电性质。该全氧化物晶体......
采用sol-gel方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜.测试了其在直流电场下流过铁电薄膜的漏导电流J-V特性.测量结果显......
介绍了OLED器件空间电荷限制电流（SCLC）模型的MATLAB分析计算方法。SCLC模型可能是线性或非线性微分方程,将阳极与阴极之间的空间分......
采用sol-gel法制作了28nm厚的SrTiO3薄膜和Au／SrTiO3／LaNiO3／Si（100）三明治结构的器件，并研究其物理性能。结果显示：室温下，用直流电压可以......
研究了溶剂沸点对溶液法制备Rubrene薄膜特性的影响。使用苯甲醚、氯苯、甲苯和氯仿等溶剂旋涂制备了Rubrene薄膜,并使用椭偏仪对......
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对比研究了吡唑喹啉衍生物（PAQ5）的掺杂对聚N-乙烯基咔唑（PVK）聚合物薄膜载流子传输性能的影响.分析薄膜宏观的电流密度-电场关系发现:......
目前，L、S、C、X波段的相对论返波振荡器已经得到了较为充分的发展，但P波段相对论返波振荡器的实验研究工作尚未见到报导，分析认为P波......
本论文所研究的立方氮化硼（Cubic boron nitride,cBN）材料，目前只有人工制备的，至今在自然界还未发现天然的。虽然cBN是最简单的III-V......
有机半导体具有许多有用的特性,是一种非常吸引人的材料。基于有机半导体材料的电子器件,如有机发光器件(OLED)、场效应晶体管等由......
聚合物介质材料的电荷输运特性决定介质的空间电荷积聚特性。空间电荷积聚会造成介质中电场畸变,当介质中的局部电场达到一定阈值,......
为了研究利用脉冲激光沉积法制备于SrTiO_3衬底上的Au/BiFeO_3/SrRuO_3结构的阻变效应,实验通过测量样品的I-V特性曲线来表征样品......
将纳米颗粒添加到变压器油中形成纳米改性变压器油不仅可以改善变压器油的散热能力,还可以提高其绝缘水平。研究纳米改性变压器油......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
利用射频（RF）溅射在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积（Ba0.65Sr0.35）TiO3（BST）薄膜,制成Pt/BST/Pt平板电容,研究在正反偏压下BST薄膜漏电流的J-V......
采用射频溅射制备Ba0．8Sr0．2TiO3（BST）薄膜，研究了测试温度（295～375K）对BST薄膜J-V（电流密度-电压）特性的影响。实验发现：J∝V^m在低场下（V〈1．8......
有机半导体材料凭借成本低、工艺简单、可实现大面积加工以及与柔性基底兼容等优点，在发光二极管、有机薄膜晶体管以及有机太阳能电......
柔性阻变随机存储器（Resistive Random Access Memory,RRAM）具有柔性性能良好、存储密度高、读写速度快、功耗低、结构简单等优势,被......
基于不同浓度FeCl3掺杂的4,4′-N,N′-二咔唑基联苯(CBP)设计制作了一系列的单空穴有机电致发光器件(OLED),采用空间电荷限制电流......
量子点作为一种无机半导体材料,具有发光光谱窄、色纯度高、光化学稳定性好,以及发光颜色可通过调节粒径大小实现等优点,在电致发......
聚合物介质材料是高电压工程、电力电子、微电子器件中常用的绝缘材料，然而在设备小型化和集成化的应用过程中也存在一些突出问题，如......
自第一个有机半导体发光器件诞生之后,有机半导体吸引了越来越多人的关注,人们采用有机共轭聚合物制成了有机电致发光管和场效应管......
如今,有机二极管在人们生活中得到了广泛的应用。例如,汽车尾灯、各种仪器的表盘、路灯、显示屏等等。而有机半导体材料的主要用途......
微波技术在卫星广播、通信技术、军事雷达等信息系统中所占地位越来越重要,而微波陶瓷电容器业已成为电子工业不可或缺的基础性元......
BST薄膜具有高介电系数、低漏电流密度、居里温度可调以及优异的热释电性能等优点,可被广泛应用于非制冷红外探测器、动态随机存储......
为降低量子点发光二极管（QLED）的开启电压,提高器件性能,利用电子传输性能良好的氧化锌（ZnO）作为电子传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶P......
从电导特性的角度研究了变压器油在高场强下的预击穿过程及机制,将变压器油在不同电场下的电导机制分为3个阶段:①在电场低于0.44 ......
