In this paper, we adopted thermally stable HfOx Ny as gate dielectric for TiN/HfOx Ny/AlGaN/GaN heterostructure field-ef......

用直流溅射和高温退火相结合的方法制备了HfOxNy薄膜并测试了其场发射性能,发现其具有较低的开启电场、较大的发射电流密度以及很......

用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究.实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性......

采用射频反应磁控溅射氧化铪钯的方法，在硅衬底成功制备了高介电HfOxNy薄膜．利用原子力显微镜，研究氮的掺入对薄膜表面形貌的影响，结果......

采用直流反应磁控溅射方法，在硅衬底制备了高介电HfOxNy薄膜。用椭偏仪研究了后期退火处理对薄膜光学性质的影响，结果表明，薄膜的折射......