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采用金属Al箔作为连接材料，探究空气气氛下连接温度对SiC陶瓷连接接头结构和性能的影响。结果表明，1000℃连接时金属Al的过量流失会导致SiC接头连接层孔洞缺陷的产生；保持热处理工艺不变，将连接温度降低至900℃，不仅可避免连接层气孔缺陷的产生，而且可有效促进中间层Al单质向Al2O3的完全转化，相比于1000℃连接的SiC接头，其室温剪切强度从（22.0±5.4）MPa提高到（117.0±18.7） MPa。