硅纳米线相关论文
目前,对新一代的高比能锂离子电池的研究已进入快速发展阶段,硅具有理论比容量高（4200m Ah/g）、脱出/嵌入锂电位低、原料储量丰富等......
随着人们对肿瘤发病机制了解的不断深入和相关生物学技术的不断发展,新的肿瘤免疫治疗方法不断被发展并用于肿瘤临床治疗研究,过继......
硅纳米线(SiNW)作为一种新型一维纳米材料,具有高比表面积、高稳定性等特点,在传感器领域得到了重视和研究.随着硅纳米线制备工艺......
太阳能驱动的微生物光电化学池（Microbial photoelectrochemical cell,MPEC）因可同时实现废物处理与自发产氢而受到人们的关注。MPEC......
随着现代微电子工业的迅猛发展,对器件能源的供给和制冷需求提出了越来越高的要求。因此,要研发具有高的塞贝克系数、高导电率和低......
场效应晶体管是集成电路的基础逻辑单元,目前芯片中的晶体管的制备方法来主要采用自上而下的加工技术。为了提升芯片的集成度,晶体......
硅纳米线场效应晶体管(silicon nanowire field-effect transistor,SiNW-FET)生物传感器具有灵敏度高、特异性强、免标记、实时响......
实现低浓度生物物质的检测在医疗诊断、健康监测、食品安全以及国防等领域有着非常重要的意义。很多疾病在早期的时候,病毒、肿瘤......
恶性肿瘤严重影响着人类的健康,肿瘤的发病率也呈现逐年上升的趋势,肿瘤的早期诊断和治疗在很大程度上决定了肿瘤的预后。现有的肿......
纳米线表面缺陷态对纳米线太阳电池性能影响至关重要.我们提出在硅纳米线表面沉积本征a-Si:H 薄膜作为钝化层,研究a-Si:H 薄膜对纳......
采用PECVD技术在柔性不锈钢衬底上制备径向p-i-n硅纳米线(Silicon Nanowires-SiNWs)太阳能电池以及硅薄膜电池。电流一电压测试表......
硅纳米线阵列透光太阳电池具有柔韧性和全光谱透光的优势，这使得透光光伏具有更广泛的应用场景.单根硅纳米线的性质决定了硅纳米线......
简并的时间-能量关联光子对作为一种重要的量子资源,有着众多用途,如量子模拟和量子测量等.本文以硅纳米线为载体,基于自发的非简......
本文采用水热刻蚀法在硅片上制备了硅纳米线(SiNW)阵列,然后用化学气相沉积法在SiNW上包覆TiO2，并且在Si片上直接沉积了TiO2作为对......
用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺P.选用Si片作衬底,硅烷(SiH)作硅源,磷烷(PH)作掺杂气体,Au作催化剂,......
利用物理热蒸发法在不同的工艺条件比如环境压力、气体流量、沉积温度下制备硅纳米线及硅微米晶须,并在此基础上添加外加电场制备......
太阳能电池能够将太阳光源源不断地转化成电能来解决当前人们面临的能源枯竭问题,但其效率偏低和成本偏高阻碍了光伏发电产业的发......
所有材料都有压阻特性，然而不同于金属材料，半导体的压阻效应不仅源于尺寸的变化，而且更敏感于其半导体特性(能带的变化).自1954年硅......
使用sp3d5s*紧束缚模型计算了[110]硅纳米线的电子结构,使用价力场模型计算了[110]硅纳米线的声子色散曲线,通过计算电声子耦合系......
表面结构是影响纳米材料性能的关键因素，合理调控其表面物理化学结构是获得高性能功能表界面材料的有效手段。纳米材料的表面修饰通......
偏振分束旋转器(PSR)是解决绝缘衬底上硅(SOI)平台光波导器件偏振敏感问题的关键性器件。SOI波导材料的折射率差大,使得横电模(TE)......
次氯酸(HClO)是一种重要的活性氧(ROS)，在保护人体免受病原体侵袭方面起着至关重要的作用。荧光法具有响应快、灵敏度高和空间......
Si纳米线及其阵列是近年内新发展起来的准一准半导体光电信息材料,在场效应器件、单电子存储器件、光探测器件、场发射器件、纳米......
在这个工作，我们在由用铟的催化热化学蒸汽免职(CVD ) 的涂的玻璃底层和普通玻璃底层作为催化剂拍摄的两做氟的符号的 SnO2 (FTO ) ......
设备的连续精简在过去的 40 年里支撑了 Moores 法律。当力量驱散变得越来越严肃，很多新兴的技术在过去的十年被采用了解决短隧道效......
在过去的十年,中国化学在国际上的影响日益显著,论文的数量和质量都有了令人瞩目的提升,而且产生了一批高质量的原创性研究成果,引......
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硅纳米线在吸收光之后还原催化剂镍离子,从而引发以二氧化碳为碳原料的炔烃羧基化反应.镍催化剂的还原态产物在这一固碳反应中能够......
Au在Si表面的成膜质量对金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线至关重要。以Ti、Cr作为浸润层,可显著改善Au在硅表面的成岛趋势,获得优质......
半导体纳米线作为一种潜在的表面增强拉曼光谱(SERS)基底材料正受到广泛的关注。本文采用金作为催化剂,通过等离子体增强化学气相......
采用金属辅助化学刻蚀方法结合纳米球模板技术制备出了有序硅纳米线阵列。硅纳米线阵列经过高温热氧化形成一定厚度的氧化层,再使......
英特尔工程师近日在展示会上表示,芯片制造商们将会继续按照摩尔定律继续发展几年,但是工程师将会大规模改进其设计和产品的部件......
日本NEC公司和日本光电子工业与技术发展协会及东京大学的科学家们第一个成功研制出Si纳米线定向耦合器。该Si纳米线定向耦合器比......
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随着集成电路的发展,器件尺寸进入纳米尺度领域,器件性能受到诸多挑战.针对纳米CMOS器件存在的问题,从可集成性考虑,基于由上而下......
据《参考消息》2009年9月7日报道,题:晶体管之后,向微观世界跃进。弗朗西斯罗斯博士是全球信息技术提供商IBM的研究人员。他正在培......
据化合物半导体2009年12月刊新闻报道,研究人员已了解到如何采用严格原子级定义的不同半导体材料来制造纳米线。新一代超小型晶体......
采用湿化学刻蚀法直接在n-Si衬底上制备了硅纳米线(Si NWs),用无电镀法在制备好的硅纳米线上修饰Pt纳米粒子作为上电极以形成结构......
介绍了在进入22nm技术节点后MOSFET器件的两个发展方向,即多栅结构和应变硅纳米线结构。首先通过分析特征长度与有效栅极数量的关......
鉴于在微观领域光波的缩束对实现光电集成的重要意义,提出了基于硅纳米线波导的两级光子晶体缩束器。其中一级压缩基于W5型和W1型......
题 目 作者 期三元复合驱低浓度体系相行为及中间混合层结构分析………牟建海李干佐廖广志 黄 丽赵孔双 l2.蒽醌磺酸三重态与高聚......
