半导体硅因其性质稳定,容易提纯,储存量大等优点,被作为最主要的半导体材料广泛应用。硅的纳米结构具备的量子限域效应,小尺寸效应等使它产生独特的光学、电学以及光电转换特性,在显示器件,传感器件,光电探测器,新能源等领域有着重要应用。硅纳米线的光学性能一直是科学研究者们的研究热点,这一性能的研究可以为硅基光学器件的优化做出推进。采用金属辅助化学刻蚀两步法制备硅纳米线,首先对硅纳米线样品进行SEM表征,研究两步法中,不同银离子浓度（0.005 M,0.01 M,0.015 M）,不同刻蚀时间（15min～75 min）,不同氧化剂H2O2浓度（0.3 M～0.9 M）,不同刻蚀温度（10℃～70℃）对硅纳米线形貌产生的影响。结果表明,银离子浓度不会影响硅纳米线的长度,但银离子浓度为0.005 M时,会引起树杈结构,银离子浓度为0.01 M和0.015 M时,银离子浓度越大,硅纳米线直径与密度越小;在一定刻蚀时间范围内,刻蚀时间与生成的硅纳米线长度呈正相关,平均刻蚀速率为1.14μm/min;氧化剂H2O2浓度越大,反应越彻底,生成的硅纳米线越长,但H2O2浓度为0.9 M时会达到极限;刻蚀温度的上升也会使反应更加充分,从而使生成的硅纳米线更长,但温度到达70℃时会使生成的硅纳米线结构遭到破坏。而且,反应中有些Ag+会扩散到硅纳米线侧壁上开启新的刻蚀,从而使硅纳米线侧壁形成硅纳米颗粒凸起。研究了硅纳米线的三个光学性能,减反射性能,光致发光性能和拉曼光谱。在一定刻蚀时间内,银离子浓度与刻蚀时间增加,可以使可见光范围内的反射率降低,氧化剂H2O2浓度增加时,反射率先减后增,而且可见光波长越小,减反射效果越好。刻蚀后的硅纳米线在279 nm处激发可以在700 nm左右处出现发射峰,在一定刻蚀时间内,银离子浓度减小与刻蚀时间延长,可使光致发光强度增强,氧化剂H2O2浓度增加,光致发光强度先增后减,这与硅纳米线的有效曝光面积以及硅纳米线侧壁上粗糙的硅纳米颗粒凸起有关。抛光硅片在λ=520 cm-1处有拉曼峰,当硅片被刻蚀成硅纳米线后,刻蚀时间越长,拉曼峰位平移的越多,并显示出非对称加宽现象,证明了刻蚀时间延长可以使硅纳米线侧壁上的硅纳米颗粒凸起直径变小。