砷化铟相关论文
据报道,全球首座以6英寸晶圆提供砷化镓(GaAs)微波通讯芯片(MMIC)专业代工服务的台湾稳懋半导体股份有限公司,于今(15)日正式宣布......
西德斯图加特大学物理系Pilkuhn教授于86年9月承担一项微结构和光电子方面的重点科研项目。该项目是发展尺寸为0.01μm半导体元件......
由于量子点内部的载流子运动三维受限，使得其具有很多独特的特性，如量子尺寸效应、量子隧穿效应、量子干涉效应、库仑阻塞和良好的非......
在太赫兹(THz)波段应用半导体材料作为表面增强拉曼散射(SERS)基底可以获得很大的SERS增强因子,而大的增强因子有着极好的应用前景......
InAs/GaSb基Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米结构因其高的电子迁移率,大的波尔激子半径以及优异的光电学性质被越来越广泛地应用于光电子学领域......
砷化铟(Indium arsenide，InAs)是Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中的优秀代表，具有超强的电子迁移率和电子迁移速度，主要在国防通信领域具有较强的......
报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明......
利用液封直拉法(LEC)生长了直径50mm〈100〉和〈111〉晶向的InAs单晶.分析研究了n型杂质Sn,S和p型杂质Zn,Mn的分凝特性、晶格硬化......
在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML的InAs层.通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形......
在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长了InAs纳米结构材料,通过改变生长方式,得到了InAs量子点和量子线.根据扫描电镜和透射电......
用MBE设备以Stranski-Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点,在生长过程中通过对量子点形状、尺寸的控制来提......
用五带k·p模型计算InAs/GaAs/InP及InAs/InP的室温PL谱的能级分布，分析PL谱峰值.发现GaAs的张应变层影响PL峰值位置，与InAs/InP......
以As2，O3，InCl34H2O和正硅酸乙酯为原料，通过水解、缩聚制备了xIn2O3-xAs2O3-100SiO2(x=O.5～7.5)凝胶.在氧气中加热到450℃对凝胶热处......
据美国物理学家组织网11月14日报道,美国加利福尼亚大学伯克利分校研究人员开发出一种全新的二维半导体,这是一种由砷化铟制造的＂量......
利用液封直拉法（LEC）生长了直径50mm〈100〉和（111〉晶向的InAs单晶．分析研究了n型杂质Sn，S和p型杂质Zn，Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺......
1833年英国科学家法拉第发现了硫化银的半导体性质-其电阻随着温度的上升而降低,从此揭开了人们对半导体材料的研究。半导体技术的......
通过测定一系列镶嵌薄膜样品的电学特性，发现其电阻具有ＶＲＨ电导特性，认为主要是由于薄膜中的半导体受到三维发域作用导致局域态的波函数......
Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料由于其新奇的特点及潜在应用的优势,近二十几年来一直受到科学家们的青睐,深入了解Ⅲ-Ⅴ族纳米材料的电子结......
在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一......
采用分子束外延方法在GaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs量子线(QWR)或者三维(3D)岛状结构.InAs量子线(QWR)选择性生长在GaAs......
石墨烯是单层碳原子构成的二维材料,具有电子迁移率高、光透过率高、热导率高、光谱吸收范围广以及石墨烯的费米能级可调等特性,因......
低维材料的发展促进了基于新型纳米结构的电子与光电子器件的研究。准一维结构的半导体因其一维的载流子输运通道、较大的表面积-......
