在GaAs衬底上使用分子束外延分别生长了单层和五层垂直堆垛的InAs/GaAs量子点结构.室温光致发光实验表明,五层堆垛结构较之单层结......

在本文中作者报道的InAs量子点是通过Stranski-Krastanov(S-K)生长方式生长的.生长后用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征,利用......

Sn基氧化物凭借较高的理论储钠容量、低成本、高安全性等优点,在钠离子电池负极材料方面得到广泛研究。然而,由于Sn基氧化物的本征......

用MBE设备以Stranski-Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点,在生长过程中通过对量子点形状、尺寸的控制来提......

在GaAs衬底上用分子束外延分别生长了单层和五层垂直堆垛的InAs/GaAs量子点结构.室温光致发光实验表明,五层堆垛结构较单层结构的......

用分子束外延(MBE)设备以Stranski-Krastanov(S-K)生长模式,通过间歇式源中断方式外延生长了多个周期垂直堆垛的InGaAs量子点,首次......