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利用液封直拉法（LEC）生长了直径50mm〈100〉和（111〉晶向的InAs单晶．分析研究了n型杂质Sn，S和p型杂质Zn，Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等．利用X射线双晶衍射分析了晶体的完整性．对InAs晶片的抛光、化学腐蚀和清洗进行了分析，在此基础上实现了抛光晶片的开盒即用（EPI—READY）．